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发明专利
已授权
一种光电活性异质结材料及其制备方法和应用
📄 申请号:CN202310611985.0
📄 发布日:2026/08/04
著录项目信息
申请日
2023-05-26
公开号
CN116642933B
公开日
2025-09-05
申请人
西南大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C12Q1_68
IPC 分类号
C12Q1_68
技术画像
所属领域
光电材料
光电材料
异质结材料
半导体材料
应用场景
光催化, 光电转换, 太阳能电池, 光电探测, 光解水制氢
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摘要
本发明涉及一种光电活性异质结材料及其制备方法和应用,属于光电活性异质结材料的制备技术领域。本发明主要是将MoSe2材料添加到CdSe材料中形成光电活性异质结材料(MoSe2/CdSe即MC异质结材料),能够进一步改善CdSe的光电性能,降低光生电子‑空穴复合速率;同时由于材料间价带导带的相互匹配显著抑制了异质结材料间光生电子‑空穴对的复合,提高了材料的电荷分离效率因而展现出优异的光吸收能力和较高的光响应电流响应,在制备光致电化学生物传感器中具有良好的应用前景。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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当前第 / 件
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