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本发明涉及光电材料领域，尤其涉及一种泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料的制备方法。所述制备方法包括：阳极氧化：将经过特殊预处理的泡沫钛作为阳极，对其进行恒电位阳极氧化，得到预基体；退火：对预基体进行退火处理，得到基体；涂覆生长：将基体置于含铜涂覆液中浸渍一段时间，随后依次进行干燥和煅烧，此为一次循环，进行若干次循环后即可得到泡沫氧化铜/TNTs光电复合材料。本发明大幅度降低了制备的难度，对制造设备要求低，具有成本低、效率高、易实现等优点，能够良好地实现量产；提高了整体光电复合材料的比表面积，优化了性能；使得泡沫氧化铜和TNTs实现了合理的复合，具有良好的稳定性和光催化性能。

本发明涉及一种光电活性异质结材料及其制备方法和应用，属于光电活性异质结材料的制备技术领域。本发明主要是将MoSe2材料添加到CdSe材料中形成光电活性异质结材料（MoSe2/CdSe即MC异质结材料），能够进一步改善CdSe的光电性能，降低光生电子‑空穴复合速率；同时由于材料间价带导带的相互匹配显著抑制了异质结材料间光生电子‑空穴对的复合，提高了材料的电荷分离效率因而展现出优异的光吸收能力和较高的光响应电流响应，在制备光致电化学生物传感器中具有良好的应用前景。

本发明公开了一种碘铋银铜光电材料的制备方法。首先制备前驱体溶液：将铜粉、银粉、铋粉和碘粒按原子比为1.8～2.5：1：1～1.2：6.5～9称量，将称量好的铜粉、银粉、铋粉和碘粒加入到密闭容器中，然后倒入一定比例的DMSO和DMF的混合溶液，加热反应一定的时间，形成碘铋银铜前驱体溶液；然后将前驱体溶液过滤，旋涂，退火处理得到碘铋银铜薄膜。本发明通过单质反应成功制备碘铋银铜薄膜，解决了四元化合物碘铋银铜薄膜制备困难的问题，为碘铋银铜薄膜的制备提供了新的思路。