发明专利已授权

差分硅通孔阵列中的噪声抑制方法及其差分信号传输结构

📄 申请号：CN201810320148.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-04-11

公开号

CN108565256B

公开日

2019-10-18

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_538

IPC 分类号

H01L23_538 , H01L21_768 ,

技术画像

所属领域

半导体封装半导体封装硅通孔技术信号完整性

应用场景

三维集成电路, 芯片间互连, 高速信号传输, 半导体封装, 集成电路设计

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摘要

本发明公开差分硅通孔阵列中的噪声抑制方法及其差分信号传输结构。本发明采用在差分对结构间引入补偿电容的方法，从而达到降低差分信号之间的串扰。差分信号传输结构包括顶层介质层和底层半导体衬底层。顶层介质层内设置有两个MIM电容；第一MIM电容由第一金属上极板、第一MIM电容介质、第一金属下极板构成，第二MIM电容由第二金属上极板、第二MIM电容介质、第二金属下极板构成；底层半导体衬底层内设有五个上下贯通的硅通孔；第一金属柱、第二金属柱组成第一个差分对结构，第三金属柱、第四金属柱组成第二个差分对结构，用于传输差分信号；第五金属柱作为返回路径。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于模糊变结构的柴油发动机电控调速及测试方法

当前第 / 件

一种生产计划与调度集成优化方法

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