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发明专利
已授权
一种差分多比特硅通孔结构及其制备方法
📄 申请号：CN201811139696.0
📄 发布日：2026/07/23
著录项目信息
申请日
2018-09-28
公开号
CN109449138B
公开日
2022-09-02
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L23_538
IPC 分类号
H01L23_538
,
H01L21_768
,
B82Y30_00
,
技术画像
所属领域
硅通孔技术
硅通孔技术
半导体封装
集成电路互连
应用场景
三维集成电路, 芯片堆叠, 先进封装, 高性能计算, 存储器件
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摘要
本发明公开了一种差分多比特硅通孔结构及其制备方法，包括硅衬底、第一介质层、第一参考线、第二介质层、碳纳米管束、第三介质层、第二参考线、第一金属焊盘、第二金属焊盘、第三金属焊盘和第四金属焊盘。本发明将碳纳米管作为传输通道，并在碳纳米管两端设置四个金属焊盘，组成两个信号传输通道，分别传输正信号和负信号，在不增加额外芯片面积下使得层与层之间的I/O口数量变为两倍；正信号和负信号的差分结构设计可有效抑制共模噪声和电磁干扰，提高高速信号的传输质量；显著缩小了差分传输结构的尺寸并且减少了其占用面积，有效提高了芯片面积的利用率。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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委托待转让
📌 交易状态：
在售
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未申报
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