发明专利已授权

便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺

📄 申请号：CN201910734502.X 📄 发布日：2026/08/24

著录项目信息

申请日

2019-08-09

公开号

CN111244066B

公开日

2021-12-07

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_538

IPC 分类号

H01L23_538 , H01L21_768 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

芯片三维集成, 半导体封装, 高性能计算, 存储器堆叠

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摘要

本发明公开便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺。包括硅衬底、介质层、半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管、金属焊盘；所述的硅衬底开有两个通孔，通孔由半导体性碳纳米管层，以及分别设置在半导体性碳纳米管层两侧的金属性碳纳米管层构成，且半导体性碳纳米管层完全阻隔两金属性碳纳米管层；硅通孔外周设置有介质层；金属性碳纳米管层的上下两端设有金属焊盘。本发明可以减少三维集成电路差分传输结构中的硅通孔数量，显著缩小了差分传输结构的尺寸并且减少了其占用面积，有效提高了芯片面积的利用率；用碳纳米管束作为传输通道填充材料，具有优越的力学性能、电学性能和热学性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的差分微波传感器

当前第 / 件

一种基于拟态对抗学习机制的现场态势未来引导技术

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