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一种屏蔽差分多比特硅通孔结构及其制备方法

Name: 一种屏蔽差分多比特硅通孔结构及其制备方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2018111407293
Availability: InStock

📄 申请号：CN201811140729.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-09-28

公开号

CN109411433A

公开日

2019-03-01

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_48

IPC 分类号

H01L23_48 , H01L23_552 , H01L21_768 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

硅通孔技术硅通孔技术半导体封装集成电路制造

应用场景

三维集成电路, 芯片堆叠封装, 高频信号传输, 存储器集成, 高性能计算

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摘要

本发明公开了一种屏蔽差分多比特硅通孔结构及其制备方法，包括硅衬底、第一介质层、屏蔽外壳、第二介质层、碳纳米管束、第一金属焊盘、第二金属焊盘、第三金属焊盘和第四金属焊盘。本发明将碳纳米管作为传输通道，并在碳纳米管两端设置四个金属焊盘，组成两个信号传输通道，分别传输正信号和负信号，利用了碳纳米管的各向异性，即其纵向电导率比横向电导率大7个数量级，这种正信号和负信号的差分结构设计可有抑制共模噪声和电磁干扰，效提高高速信号的传输质量；同时，本发明屏蔽外壳可以抑制差模噪声干扰，减小了对其他硅通孔的电磁干扰，可提高三维集成电路的整体性能；本发明缩小了差分传输结构的尺寸，有效提高了芯片面积的利用率。

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图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

一种差分多比特硅通孔结构及其制备方法

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