发明专利已授权

用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的差分微波传感器

📄 申请号：CN201910389158.5 📄 发布日：2026/08/24

著录项目信息

申请日

2019-05-10

公开号

CN110133377A

公开日

2019-08-16

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01R27_26

IPC 分类号

G01R27_26 , G01R33_12 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

电子材料检测, 微波器件研发, 射频元件测试, 磁介质材料表征, 通信材料测量

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摘要

本发明公开用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的差分微波传感器。由顶层至底层包括两个微带线结构、介质层、金属薄片、两个刻槽金属CSRR结构；刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数。本发明能够在同一传感器不同区域同时测量介电常数和磁导率，具有极高的灵敏度和Q值，保证了测量的准确度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器

当前第 / 件

便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺

同领域国内专利 · IPC: (G01R27_26)

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