发明专利已授权

Gd-Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料及制备方法

📄 申请号：CN202210447800.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2022-04-24

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_495

IPC 分类号

C04B35_495 , C04B35_622 , C04B35_638 , H01G4_12 ,

技术画像

所属领域

铁电陶瓷材料铁电陶瓷材料储能陶瓷材料钨青铜结构材料

应用场景

脉冲功率电容器, 储能器件, 电子陶瓷元件, 高功率电子设备

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了Gd‑Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料，该铁电储能陶瓷材料的结构式为Sr(0.53‑0.15x)Ba0.47GdxNb2‑yTayO6，其中，x的取值为0.01～0.1，y的取值为0.1～0.5。本发明还公开了其制备方法，具体为：称取BaCO3、SrCO3、Gd2O3、Nb2O5、Ta2O5，充分混合球磨，干燥后进行预烧，将预烧粉经造粒、压片、排胶后，进行烧结，即可。通过在陶瓷材料中掺杂Gd和Ta，不但获得了高储能密度，且显著提高了其储能效率，并改善了其储能性能的温度稳定性，在140℃下击穿场强可以达到400kV·cm‑1，储能密度达到85％。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221209

✅ 授权

20220628

?? 实质审查的生效：

20220610

📄 公开

具有非公度调制结构的Ti掺杂铌酸锶钡钆铁电陶瓷材料及制备方法

当前第 / 件

非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料及制备方法

同领域国内专利 · IPC: (C04B35_495)

C04B35_00 C04B35_01 C04B35_04 C04B35_043 C04B35_057 C04B35_10 C04B35_101 C04B35_103 C04B35_106 C04B35_14 C04B35_16 C04B35_185 C04B35_19 C04B35_195 C04B35_20 C04B35_22 C04B35_26 C04B35_30 C04B35_38 C04B35_40 C04B35_42 C04B35_44 C04B35_443 C04B35_447 C04B35_45 C04B35_453 C04B35_46 C04B35_462 C04B35_465 C04B35_468 C04B35_47 C04B35_472 C04B35_475 C04B35_48 C04B35_488 C04B35_49 C04B35_491 C04B35_495 C04B35_497 C04B35_50 C04B35_505 C04B35_515 C04B35_52 C04B35_524 C04B35_528 C04B35_532 C04B35_547 C04B35_553 C04B35_56 C04B35_563 C04B35_565 C04B35_571 C04B35_573 C04B35_577 C04B35_58 C04B35_581 C04B35_582 C04B35_583 C04B35_5831 C04B35_5833 C04B35_5835 C04B35_584 C04B35_593 C04B35_596 C04B35_597 C04B35_599 C04B35_622 C04B35_626 C04B35_628 C04B35_63 C04B35_632 C04B35_634 C04B35_64 C04B35_66 C04B35_74 C04B35_76 C04B35_80 C04B35_81 C04B35_83 覆盖79个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：16 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

Gd-Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料及制备方法

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (C04B35_495)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

一种氮化硅和硼掺杂氮化硅基非晶陶瓷及其高压制备方法

一种陶瓷材料及其制备工艺

一种高储能性能介质陶瓷、制备方法及其应用

服务项目

资源中心

关于柿子坊