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本发明公开了一种正温度系数硅酸盐微波介质陶瓷材料及制备方法，原料成分为BaCO3、SiO2、Y2O3，所述原料成分以Ba9Y2Si6O24(BYS)化学计量比进行配比，本发明采用传统的高温固相反应法，制备方法简单，生产成本较低，通过设定不同的烧结温度，能够得到一种微波性能良好的低介电常数的微波介质陶瓷材料。

本发明公开了一种钛酸锶钡掺杂的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(1‑x)(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3‑x(Ba0.3Sr0.7)TiO3，式中x表示(Ba0.3Sr0.7)TiO3的摩尔数，x的取值为0.05～0.20。本发明采用熔盐法，通过配料、球磨、预烧、洗盐、造粒、压片、烧结、抛光及烧银等工艺步骤，制备成介电性能优越、铁电性能良好、压电性能较高、储能性较好以及实用性强、纯度高、易于生产的钛酸锶钡掺杂的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷材料，制备方法简单、重复性好、成品率高。

本发明公开了一种铋基棒状结构巨介电陶瓷材料及制备方法，属于介电陶瓷材料及巨介电陶瓷介电电容器领域，该陶瓷材料的制备采用一定量的MgO和WO3制备出混合物A再将得到的混合物A分别与锆球石和酒精按1:1:1比例混合，依次进行球磨、烘干、预烧后形成化学有序的MgWO4粉体；将Bi2O3和该粉体混合依次进行球磨、烘干、造粒、过筛后压制成试样，在空气中800～1000℃保温2～4h随炉冷却至室温，最后对试样正反两面涂覆银浆即可，制备方法简单、成本低。本发明方法制得的无铅巨介电陶瓷材料呈棒状结构、致密性较好，且具有巨介电的特点，适合巨介电材料在高密度存储器件中的广泛应用。

本发明属于微波介质陶瓷材料制备技术领域，涉及一种冷烧结辅助低温致密化Zn3B2O6微波陶瓷材料的制备方法，将Zn3B2O6与20wt.％的不同浓度的冰醋酸水溶液混合，形成固液混合物，再采用热压方法，通过调节烧结温度，烧结时间和单轴压力实现其致密化，再通过不同退火温度进一步实现致密化。本发明相比于传统高温固相反应，该方法可以在较低温度范围内实现致密化，且制备过程简单，烧结温度更低，时间更短，节约能耗，得到的微波介质陶瓷材料性能优异，具有良好的应用前景。

本发明公开了一种兼具断裂韧性和硬度的B6O‑金刚石复合材料及其制备方法，以B6O和炭黑纳米粉体为原料，在高压和高温下合成烧结良好的B6O‑金刚石复合材料。炭黑在高压高温条件下转化为金刚石纳米颗粒，同时形成高强度B6O‑金刚石共格界面。超细B6O和金刚石纳米颗粒与高强度B6O‑金刚石共格界面协同构建了优异的复合材料力学性能。B6O‑金刚石复合材料的硬度(43GPa)与聚晶金刚石PCD(40～60GPa)相当，而断裂韧性(7.6MPa·m1/2)比之前合成的多晶B6O陶瓷(1.7～3.1MPa·m1/2)和B6O基复合材料(3～4MPa·m1/2)提高了数倍。通过断裂行为分析表明，B6O‑金刚石复合材料的增韧机制主要为纳米孪晶增韧、裂纹偏转和裂纹桥接。

本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中，提供了一种物相稳定单一，无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷，其相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数，在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。