本发明涉及一种单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法，其采用顶部籽晶熔渗生长法，通过改变固相块和液相块所用的源粉成份，使得整个熔渗生长过程仅需制备BaCuO2一种粉，大大简化了制备先驱粉的环节、缩短了制备周期、降低了工艺成本、提高了效率，而且重复性好、易于定向生长，所制备样品的磁悬浮力大、临界电流密度高，本发明还采用了液相块的比固相块的直径相等或稍大的装配方法，有利于防止液相的流失、样品的坍塌以及有利于固相与液相的充分接触。
📄 2012105073565
📂 C04B35_45
👤 北京临界领域科技有限公司
📅 2012-11-29
一种简化制备单畴YBCO超导块材的方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top Seeded–Metal Oxides Melt Growth，简称TS-MOMG)方法制备单畴YBCO块材，直接采用Y2O3、BaO以及CuO三种金属氧化物，在晶体生长的升温阶段通过固相反应自行合成YBa2Cu3O7-δ和Y2BaCuO5，在随后的降温过程中，在籽晶诱导下进行外延生长织构长成单畴块材。本发明在整个超导块材生长过程中不用单独合成YBa2Cu3O7-δ和Y2BaCuO5两种先驱粉体，而是将先驱粉体的合成与单畴块材的生长两个环节综合在一个热处理过程中，简化了工艺步骤，节约了时间和能源。本发明可用于制备YBCO超导块材，也可用于制备同一系列的其他高温超导块材，如：钆钡铜氧、钐钡铜氧、钕钡铜氧、镱钡铜氧等。
📄 2013103039973
📂 C04B35_45
👤 陕西师范大学
📅 2013-07-18
一种降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top Seeded-Metal Oxides Melt Growth，简称TS-MOMG)方法制备单畴钆钡铜氧块材，将Gd2O3、无水BaO以及CuO三种金属氧化物，在高温状态下直接熔化反应，并在籽晶诱导下进行外延生长，完成单畴钆钡铜氧超导块材生长，整个熔化生长过程不需要烧结任何先驱粉体，在不降低超导块材性能的前提下，大大缩短了制备时间，简化了操作步骤，提高了超导块材的制备效率，降低了单畴超导块材的制备成本。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
📄 2013103040684
📂 C04B35_45
👤 陕西师范大学
📅 2013-07-18
本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块和液相源先驱块、压制第一固液隔离层和第二固液隔离层、压制Yb2O3支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤。本发明提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钇钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钇钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钇钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
📄 201610693174X
📂 C04B35_45
👤 北京临界领域科技有限公司
📅 2016-08-19
本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块和液相源先驱块、压制第一固液隔离层和第二固液隔离层、压制Yb2O3支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤。本发明提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钇钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钇钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钇钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。
📄 201610693174X
📂 C04B35_45
👤 北京临界领域科技有限公司
📅 2016-08-19
本发明提供了一种新型Co掺杂的SrBi2Nb1.8Fe0.2O8.8多铁性陶瓷材料。本发明还提供了该陶瓷材料的制备方法：分别采用了SrCO3、Bi2O3、Nb2O5、Fe2O3和Co2O3为原料制备；对粉体进行球磨，在750-850oC预烧3-5小时，过筛和成型，最终在995-1080℃温度下烧结2-4小时，得到了单相的具有奥里维里斯结构的SrBi2Nb1.8-xFe0.2CoxO8.8-x多铁性陶瓷材料。本发明所制备的单相多铁性奥里维里斯化合物陶瓷材料制备工艺简单，原料廉价，生产成本低。通过Co离子的掺杂之后，由于引入了更多的双交换相互作用，使材料从室温下弱的反铁磁转变成为了铁磁性的材料。
📄 2018111563465
📂 C04B35_453
👤 陕西科技大学
📅 2018-09-30
本发明提供了一种多点电极氧化锌压敏陶瓷的制备方法及电化学试验，通过该方法得到多点电极氧化锌压敏陶瓷，所设计的多点电极氧化锌压敏陶瓷，通过接陶瓷上极板和下极板表面上不同的点电极，可以实现具有一定范围的压敏电压的压敏陶瓷，适用范围广。本发明中得到的多点电极氧化锌压敏陶瓷使得一个氧化锌压敏陶瓷可同时具备多个压敏电压下的高响应特性，起到同时对多个电路的有效保护；多点电极氧化锌压敏陶瓷大大节约了压敏陶瓷的制作成本，具有很好的经济效益；本发明原理简单，安全性高，便于生产、推广和大范围使用。
📄 2021109200520
📂 C04B35_453
👤 陕西科技大学
📅 2021-08-11
本发明公开了一种Y元素掺杂的Aurivillius相结构的钛铁酸铋陶瓷材料，所述材料为4层钙钛矿结构夹在两层类萤石结构中的三明治结构，其化学式为Bi5-xYxTi3FeO15(缩写为BYTF).其结构本发明还公开了所述Y元素掺杂的Aurivillius相结构的钛铁酸铋陶瓷材料的制备方法。本发明通过A位掺杂调节BYTF多铁性材料的磁序，实现铁电和铁磁性共存，且具有良好好的磁介电效应。本发明操作简单、成本低、重复性好，可实现规模生产，在磁电材料研究领域中有极大的应用潜力。
📄 2019100344897
📂 C04B35_453
👤 陕西科技大学
📅 2019-01-15
本发明公开了一种新型Fe掺杂的SrBi2Nb2O9具有奥里维里斯结构的多铁性陶瓷材料。本发明还公开了该陶瓷材料的制备方法：分别采用了SrCO3、Bi2O3、Nb2O5和Fe2O3为原料制备；对粉体进行球磨，预烧，过筛和成型，最终在920‑1215℃温度下烧结，得到了单相的具有奥里维里斯结构的多铁性陶瓷材料。本发明所制备的SrBi2Nb2‑xFexO9‑2x单相多铁性奥里维里斯化合物陶瓷材料制备工艺简单，原料价格低廉，制作成本低，在室温下，能够获得电滞回线以及磁滞回线，在保留了材料铁电性的基础之上，让材料获得了一定的反铁磁特性。
📄 2018106011563
📂 C04B35_453
👤 深圳万知达科技有限公司
📅 2018-06-12
本发明公开了一种氧化铋基中低熵氧离子导体材料及其制备方法。具体材料为(Bi2O3)0.95‑x(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)x(WO3)0.05,x=0.1、0.2、0.3、0.4，制备方法是按照化学式的计量比组成称量配料，使用研钵反复研磨得到混合物；将混合物压片，放入高温烧结马弗炉中，在650°C下烧8小时。再研磨后，在850~1080°C下烧制10小时，得到致密的陶瓷片。本发明制备的氧离子导体材料成本低廉、制备工艺简单，热稳定性和化学稳定性好，电导率高，其中(Bi2O3)0.75(Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3)0.2(WO3)0.05在550℃时，陶瓷总电导率达1.1×10‑2 S/cm，700℃时所有比例陶瓷电导率均大于>10‑2 S/cm，能作为电解质材料应用于中低温氧化物燃料电池，具有广泛的应用前景。
📄 2023111273618
📂 C04B35_453
👤 桂林理工大学
📅 2023-09-04
本发明提供一种柔性BiFe0.95Mn0.05O3薄膜及其制备方法，步骤1：将Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·9H2O、C4H6MnO4·4H2O以摩尔比为1.05:0.95:0.05溶于溶剂中，得到前驱液A；将前驱液A旋涂在单晶氟金云母衬底上，烘烤得干膜，退火，得晶态的BiFe0.95Mn0.05O3薄膜；重复该步骤，直至得到所需厚度的晶态的BiFe0.95Mn0.05O3薄膜；对承载有BiFe0.95Mn0.05O3薄膜的F‑Mica衬底进行机械剥离获得柔性BiFe0.95Mn0.05O3薄膜。所得薄膜材料具有优异的各向异性磁化强度现象，且表现出优异的柔性。
📄 2021107974813
📂 C04B35_453
👤 陕西科技大学
📅 2021-07-14
本发明提供了一种在高电场下具有稳定铁电性的HoSrMnZn共掺铁酸铋铁电薄膜及其制备方法，以硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸锌为原料(硝酸铋过量5％)，以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂，用旋涂法和层层退火的工艺制备了在高电场下具有稳定铁电性的Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3铁电薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，实验条件易于实现，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，制得的在高电场下具有稳定铁电性的HoSrMnZn共掺铁酸铋铁电薄膜均匀性较好，能够有效提高其耐击穿性能，提高其剩余极化值。
📄 2017102539496
📂 C04B35_453
👤 陕西科技大学
📅 2017-04-18
柿子坊 · 知识产权运营
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