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本发明公开了一种高击穿场强和储能密度二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料及制备方法，该陶瓷材料由CdCu3Ti4O12‑x wt％SiO2表示的材料组成，其中x的取值为1.0～4.0，其是以Cd(NO3)2·4H2O、Cu(NO3)2·3H2O、Ti(C4H9O)4为原料，冰醋酸为螯合剂，先采用溶胶‑凝胶法制备前驱粉体，并将前驱粉体在较低温度下煅烧，得到能在分子水平上混合且均匀性较好、活性高的CdCu3Ti4O12陶瓷粉体，然后向陶瓷粉体中加入二氧化硅粉，经球磨、造粒、压片、排胶、烧结制备而成。本发明陶瓷材料的制备方法简单、反应温度较低、重复性好、成品率高，且陶瓷材料的介电性能优良，其击穿场强可高达895～2352V/cm、储能密度0.712～1.77mJ/cm3，具有广泛的应用前景。

一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法，首先按照化学式(1‑x)Bi0.48La0.02Na0.48Li0.02Ti0.98Zr0.02O3‑xNa0.73Bi0.09NbO3进行配料，其中x表示摩尔分数，且0.06≤x≤0.12；经球磨、干燥后获得粉体；将获得的粉体加入粘合剂造粒，陈腐24～48小时后，压制成片，排胶处理后在1100～1200℃下烧结，即可得到无铅高储能密度陶瓷材料。本发明的陶瓷材料制备工艺简单、稳定，适合工业化生产，其储能特性优良。基于电滞回线计算，该陶瓷材料在室温下的储能密度可达2J/cm3以上；在90℃和140kV/cm的电场下，储能密度可达1.66J/cm3。

本发明公开了一种X7R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法。将碳酸钡、碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铁和五氧化二铌先球磨，细化原料，根据名义化学式按化学计量比配料，经预烧、二次球磨等工序，利用固相反应过程，最终制得X7R型陶瓷电容器介质材料Ba2Sr2SmFe0.5Nb9.5O30。本发明方法可获得优良的温度稳定性介电陶瓷材料，满足EIA X7R标准；本发明方法简单，节能减排，成本适中，适合批量生产。

本发明公开了一种中温烧结X7R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法。将碳酸钡、碳酸锶、碳酸钠、三氧化二镧、三氧化二铁和五氧化二铌先球磨，细化原料，根据名义化学式按化学计量比配料，经预烧、二次球磨等工序，利用固相反应过程，最终制得X7R型陶瓷电容器介质材料Sr2.45Ba1.05Na0.1LaFe0.5Nb9.5O30。本发明方法可获得优良的温度稳定型介电陶瓷材料，满足EIA的X7R标准；本发明方法简单，节能减排，成本适中，适合批量生产。

本发明公开了一种中温烧结的电容器瓷料及其制备方法，该瓷料的组分包括(Ba1‑xCax)(Zr0.15Ti0.85)O3、CeO2、HfO2、SiO2、MgO、ZnO及MnO2；该制法为以TiO(OH)2为固相基体，以(CH3COO)2Ba、(CH3COO)2Ca·H2O和(CH3COO)4Zr为包裹相，通过液相包裹法经烘干、煅烧制得主晶相粉体，随后将主晶相粉体(Ba1‑xCax)(Zr0.15Ti0.85)O3与CeO2、HfO2、SiO2、MgO、ZnO及MnO2混合，经研磨、成型、烧结制得瓷料。本发明瓷料不仅具有高介电常数、低介电损耗以及介电常数温度变化率低的特点，且可实现中温致密烧结。

本实用新型涉及电容技术领域，具体为一种陶瓷管状穿心电容，包括管状陶瓷绝缘管，所述管状陶瓷绝缘管的一侧固定连接有散热板，所述散热板的一侧固定连接有绝缘介质，所述绝缘介质的一侧设置有更换构件。本实用新型的优点在于：当电容的管脚发生损坏时，需要及时的进行更换，首先转动固定板，通过螺纹传动可以使螺纹柱进行直线运动，直至螺纹柱运动出管状陶瓷绝缘管后停止转动，随后将损坏的管脚抽出固定板，将需要更换的管脚抽入通孔，最后将螺纹柱对准管状陶瓷绝缘管并转动固定板，通过螺纹传动使螺纹柱向内运动，直至导电板运动进导电孔内部，可以及时的将损坏的管脚进行更换，不会因为管脚的损坏导致整个电容无法使用。

一种高功率密度的Sn掺杂高熵钙钛矿氧化物陶瓷材料。该材料的制备方法为：首先采用了Na2CO3、Bi2O3、BaCO3、SrCO3、CaCO3、TiO2和SnO2为原料，按化学式(Na0.2Bi0.2Ba0.2Sr0.2Ca0.2)Ti1‑xSnxO3配比取料，对粉体进行湿法球磨混合，干燥后的粉体在900℃下预烧2h，再经过二次球磨、过筛和成型，最终在1250℃温度下烧结2h得到了单相的高熵钙钛矿氧化物陶瓷材料。本发明所制备的高熵陶瓷材料制备工艺简单，制作成本低，通过选择适当的x值，可使放电储能密度达到1.74J/cm3，同时功率密度达51.4MW/cm3，提供了一种新的无铅储能材料基体。