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本发明属于喷嘴技术领域，特别涉及一种基于应力波理论叠层陶瓷喷嘴制备方法。本发明的特征是：该喷嘴入口采用9层、出口采用7层材料组成。叠层材料以碳化硼、碳化钛、氧化铝、氧化钇为原料，根据各叠层材料的混合理论密度、层厚、喷嘴内外径计算出每一层质量，按叠层顺序和层数摊平于石墨模具中，层层预压放入真空烧结炉，温度1850～1900℃，压力30～35MPa，保温40～60min。通过建立应力波传导理论数学模型，遴选降低磨料冲击的材料参数，提高陶瓷喷嘴抗冲蚀磨损性能；同时入口出口处叠层间热膨胀系数差异，使喷嘴出口和入口处在热压烧结后形成残余压应力，可缓解喷砂过程中喷嘴受到的拉应力。因此本发明制备的叠层陶瓷喷嘴具有良好的抗冲蚀磨损性能，使用寿命大大提高。

本发明公开了一种碳化硼陶瓷的制备方法，该制备方法首先对碳化硼施加较低的恒定压力，然后在最高烧结温度时将恒定压力调整为振荡压力，最后在冷却阶段调整为较低的恒定压力得到碳化硼陶瓷。该方法将振荡压力施加在烧结中期至烧结末期，其改变了碳化硼烧结过程的致密化机理，能够在1700‑1800℃实现纯碳化硼的致密化，且烧结压力较小，此种烧结方式可引入大量晶体缺陷，实现材料性能的大幅提升，所制备得到的碳化硼陶瓷致密度高。且本发明采用的较低的烧结压力降低了对烧结设备和所用石墨模具的要求，有助于制备更大尺寸的高性能碳化硼陶瓷构件。

本发明公开了高性能纳米孪晶碳化硼陶瓷块体材料及其制备方法，方法为：以纳米碳化硼粉体为原料（1）通过放电等离子体烧结方法合成纳米孪晶碳化硼块体；（2）通过热压烧结方法合成纳米孪晶碳化硼块材；（3）通过高温高压合成纳米孪晶碳化硼块材,合成得到的纳米孪晶碳化硼块体材料的硬度为30‑55GPa，断裂韧性为4.0‑8.0 MPa m1/2,抗弯曲强度为500‑850MPa，孪晶宽度为1‑100nm，晶粒粒径为10nm‑10μm，致密度95‑100%，具有更高的致密度、比强度、高硬度和高断裂韧性的特性，作为一种超硬材料，可应用在轻质装甲、防弹装备，切削工具和钻头、耐高温结构部件等方面，具有广阔的应用前景。

本发明公开了一种氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼陶瓷复合材料及其制备方法。其制备为：在去离子水中依次加入表面活性剂和碳化硼粉体，混合均匀得碳化硼悬浮液，继续加入氮化硼纳米管/纳米片杂化粉体，搅拌、超声、冷冻干燥得到氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼复合粉体，最后置于氩气气氛下热压烧结，随炉冷却至室温，得到氮化硼纳米管/纳米片‑碳化硼陶瓷复合材料；其中氮化硼纳米管/纳米片杂化粉体为氮化硼纳米片上原位生长氮化硼纳米管形成的杂化结构。该方法所得陶瓷复合材料中，氮化硼纳米管/纳米片在碳化硼陶瓷复合材料中均匀分散，能同时发挥氮化硼纳米管和纳米片的强韧化优势及其多维度协同效应，显著提升碳化硼陶瓷材料的强度和韧性。

本发明公开了一种高性能碳化硼基复合陶瓷材料及其制备方法。所述高性能碳化硼基复合陶瓷材料是以原位反应形成的HfB2和SiC以及添加的SiCnw为增强增韧相，B4C为基体，经过压力烧结而成。其原料由以下材料组成：HfSi2粉40‑45％，SiCnw 0.88‑4.45％，余量为B4C粉。通过机械混粉方法制得混合粉末，对混合粉末进行放电等离子烧结成坯体，最终得到碳化硼复合陶瓷材料。本发明实现了B4C复合陶瓷的低温短时烧结，使用本发明方法制得的碳化硼基复合陶瓷材料与传统的碳化硼陶瓷相比，具有更高的致密度和优异的综合力学性能。

本发明公开了一种B4C‑TiB2导电复相陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有包覆型显微结构的，其中TiB2的体积含量为10‑30％。该导电复相陶瓷制备原料为：B4C、TiC和无定形B粉体，其制备步骤是：按照成分设计配比分别称取原料粉体；混合均匀后充分干燥；使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷，烧结温度为2000℃，压力为50MPa，保温时间为5‑20min。本发明构筑了TiB2小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构，有利导电网络的形成和完善。在相同TiB2含量下，本发明制备的B4C‑TiB2复相陶瓷具有更高的电导率。本发明制备过程简单，无需任何其它特殊复杂方法。与传统方法相比，本发明所制备的B4C‑TiB2复相陶瓷的力学性能相当或更优。

本发明公开了一种B4C‑TiB2导电复相陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料领域。该导电复相陶瓷具有包覆型显微结构的，其中TiB2的体积含量为10‑30％。该导电复相陶瓷制备原料为：B4C、TiC和无定形B粉体，其制备步骤是：按照成分设计配比分别称取原料粉体；混合均匀后充分干燥；使用放电等离子烧结炉在真空气氛中烧结制备复相陶瓷，烧结温度为2000℃，压力为50MPa，保温时间为5‑20min。本发明构筑了TiB2小晶粒包覆B4C大晶粒的包覆型显微结构，有利导电网络的形成和完善。在相同TiB2含量下，本发明制备的B4C‑TiB2复相陶瓷具有更高的电导率。本发明制备过程简单，无需任何其它特殊复杂方法。与传统方法相比，本发明所制备的B4C‑TiB2复相陶瓷的力学性能相当或更优。