本发明公开了一种碳化硅/黑滑石复合陶瓷膜支撑体及其制备方法，该支撑体原料按以下重量份数组成：碳化硅粉5‑20质量份、黑滑石粉5‑10质量份、烧结助剂2‑5质量份、造孔剂1‑5质量份、粘结剂0.01‑0.3质量份、分散剂0.01‑0.1质量份。本发明中使用的黑滑石，其主要化学成分为氧化镁、氧化硅、氧化铝等可起到烧结助剂的作用，能够降低支撑体的烧结温度。本发明可以克服碳化硅陶瓷膜支撑体制备过程中存在烧结温度过高的问题；制备的碳化硅/黑滑石复合陶瓷膜支撑体产品的通量大，机械强度高，同时能够显著降低其生产成本，应用前景广阔。
📄 2021113997136
📂 C04B35_565
👤 浙江工业大学
📅 2021-11-24
本发明公开了一种复式双连续相SiC/Si复合材料的制备方法。首先，将氧化铁和SiC原料按照不同氧化铁添加量进行湿法混料，随后采用旋转蒸发仪进行干燥；将干燥后的粉体加入PVA进行造粒，干压成型后进行烧结获得不同气孔率定向多孔陶瓷。随后采用获得的定向多孔SiC陶瓷作为增强体，利用真空浸渗工艺制备复式双连续相SiC/Si复合材料。本发明采用氧化铁作为造孔剂制备定向多孔陶瓷为纯SiC陶瓷，具有结构定向分布特征，较为优异的高温性能，较高的孔筋密度和抗折强度，因而最终制备的复式双连续相SiC/Si复合材料较高的孔筋密度和抗折强度，大大优于应用于装甲材料的反应烧结法制备的SiC/Si复合材料，具有较好地应用前景。
📄 2015107424235
📂 C04B35_565
👤 陕西科技大学
📅 2015-11-04
本发明涉及多孔陶瓷材料及膜分离技术领域，具体是一种低温烧结耐酸碱多孔碳化硅陶瓷膜及其制备的方法。本发明依次包括以下步骤：(1)支撑体制作、(2)过渡层处理、(3)过滤层处理、(4)膜烧结过程；本发明具有烧结温度低、生产能耗低、工艺方法简单、设备要求低、生产成本和投资成本低、控制灵活、成型容易、适合工业定制、满足规模化生产的特点。该方法生产的多孔碳化硅陶瓷膜具有亲水性好，过滤通量大，空隙率高、过滤精度高、机械强度高，耐酸碱性好、使用寿命长的特点。
📄 201710654809X
📂 C04B35_565
👤 浙江理工大学
📅 2017-08-03
本发明涉及多孔陶瓷材料及膜分离技术领域，具体是一种低温烧结耐酸碱多孔碳化硅陶瓷支撑体及其制备的方法。本发明依次包括以下步骤：泥料制备；挤出成型；低温烘干；高温烧结；其中，泥料制备中使用的原料为碳化硅粉、烧结助剂、成型机、造孔剂、润滑剂和溶剂；主要特征在于利用一种能耐酸碱的烧结助剂在1400℃以下就可以烧制机械强度高、空隙率高、耐酸碱的多孔碳化硅陶瓷支撑体。本发明的优点是具有烧结温度低、生产能耗低、工艺方法简单、设备要求低、生产成本和投资成本低、控制灵活、成型容易、适合工业定制、满足规模化生产的特点。
📄 2017106567334
📂 C04B35_565
👤 浙江理工大学
📅 2017-08-03
本发明公开了一种陶瓷复合材料及其制备方法，陶瓷复合材料包括以下重量份的成分：ZrB2‑SiC 75～90份、高岭土20～30份、纳米氧化锆6～10份、纳米氧化铝3～5份、纳米氧化镁2～6份、纳米二氧化钛1～6份、碳纤维3～10份、玻璃纤维4～8份、凹凸棒土6～8份、硅藻土10～12份、电气石10～15份、麦饭石10～15份、聚乙二醇5～10份、硅烷偶联剂3～6份。本发明的陶瓷材料以ZrB2‑SiC粉体为主要原料，制得的陶瓷材料具有良好的耐高温性能、导电和导热性能，较高的机械强度和化学稳定性，另外，添加的电气石、麦饭石、凹凸棒土和硅藻土等天然物质作为主要原料，原料来源广泛，并且具有释放负离子、辐射远红外线、抗菌、除氯、除贵金属等特性；本发明添加的碳纤维、玻璃纤维可以增加陶瓷的韧性。
📄 201811118194X
📂 C04B35_565
👤 广东华科新材料研究院有限公司
📅 2018-09-25
本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
📄 2021115749520
📂 C04B35_565
👤 燕山大学
📅 2021-12-21
本发明属于复合材料技术领域，涉及一种SiC‑Ti3SiC2复合材料及其制备方法。碳化硅复合材料为二元复合材料，包括70～95vol.％六方碳化硅和5～30vol.％Ti3SiC2。制备时，将六方碳化硅和Ti3SiC2粉末在行星球磨机里混料；混合均匀后进行预压，预压压力为10～500MPa，预压10～60s；然后把预压后的样品进行热压烧结，烧结压力20～50MPa，烧结温度1100～2000℃，保温10～90min，制得碳化硅复合材料。本发明通过Ti3SiC2的添加可以提高SiC韧性及致密度，得到的SiC‑Ti3SiC2复合材料具有高韧性。
📄 201911245301X
📂 C04B35_565
👤 燕山大学
📅 2019-12-06
本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
📄 2023105552924
📂 C04B35_565
👤 燕山大学
📅 2021-12-21
本发明属于复合材料技术领域，具体公开了一种SiCf/SiC复合材料用纳米掺杂Ti3SiC2界面涂层及其制备方法，其中制备方法包括Ti3SiC2原料预处理、备用Ti3SiC2浆料制备、碳化硅纤维预处理、浸渍沉积、复合材料制备。本发明采用高速气流粉碎配合高能球磨、超声剥离处理使Ti3SiC2颗粒比单纯的球磨处理平均粒度更小且分布均匀。本发明的方法重复性好，对设备要求低，适用于大尺寸构件的大批量生产，同时能确保Ti3SiC2界面致密均匀孔隙少，Ti3SiC2纯度高，界面厚度可调控。
📄 2023108443346
📂 C04B35_565
👤 华侨大学
📅 2023-07-11
本发明公开了一种基于高固含量碳化硅浆料的分离膜的制备方法，首先制备出固含量为58～70voL％、粘度为800～1000mPa·s的碳化硅浆料，然后采用喷涂的方法将该浆料均匀的喷覆在支撑体上经过一定烧结工序制得分离膜；本发明所述制备工艺可有效避免分离膜成型后烧结过程中的开裂等问题，显著提升碳化硅分离膜的强度、成品率和耐久性能，且涉及的制备方法简单，适合推广应用。
📄 2020103831356
📂 C04B35_565
👤 武汉工程大学
📅 2020-05-08
本发明涉及一种低粘度、高固含量的陶瓷浆料及其制备方法，该陶瓷浆料制备方法如下：1)将碳化硅粉体、二氧化硅粉体、造孔剂、粘结剂混合球磨，得到粉体混合物，然后将所得粉体混合物与水混合，加入酸性溶液调节，再用蒸馏水洗涤干燥得到粉体材料；2)将粉体材料与高级脂肪酸、表面活性剂混合搅拌得到混合物，然后将所得混合物与pH值为10～11的碱性溶液混合搅拌均匀后得到低粘度、高固含量的陶瓷浆料。本发明提供的高固含量、低粘度碳化硅陶瓷浆料固含量可达55～70vol％，粘度可低至0.1～1Pa·s，能够满足多种成型工艺条件需要，解决了传统湿法成型工艺脱模困难问题，扩大了碳化硅陶瓷材料的使用范围。
📄 2021108282059
📂 C04B35_565
👤 武汉工程大学
📅 2021-07-22
本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种孔径可控的微米孔径碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。首先，进行原料配方的设计，根据碳化硅多孔陶瓷的目标孔径，确定原料中各组分的质量百分含量；其次，按照设计的原料配方，将原料制成碳化硅多孔陶瓷生坯；最后，将碳化硅多孔陶瓷生坯置于惰性气氛中进行烧成，得到碳化硅多孔陶瓷。本发明能够对微米孔径碳化硅多孔陶瓷的孔径进行精准调控，制备出1‑10μm范围内目标孔径的纯重结晶碳化硅多孔陶瓷，在柴油车尾气过滤、工业废气处理、烟气过滤和节能环保等基体材料领域有广泛的应用前景。
📄 2022110460025
📂 C04B35_565
👤 武汉工程大学
📅 2022-08-30
柿子坊 · 知识产权运营
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