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本发明公开了基于冷烧结工艺制备LiF基核‑壳结构微波介质陶瓷的方法：(1)将CaCO3和TiO2按CaTiO3化学计量比配料，球磨烘干，过筛得粉料；(2)将制得的粉料在高温下煅烧后，二次球磨并过筛得粉料；(3)将制得的粉料压制成生坯，在高温下烧结制得致密的CaTiO3陶瓷块体；(4)在LiF粉末中添加去离子水，研磨混合均匀；(5)将润湿的部分LiF粉末置于模具中，预压后加入CaTiO3陶瓷块体，后将剩余的LiF粉末加入所述模具中，预压后使LiF包覆CaTiO3陶瓷块体得到LiF‑CaTiO3陶瓷生坯；(6)将所述模具置于热压机中，使LiF‑CaTiO3陶瓷生坯在300‑600MPa压力与100‑200℃条件下冷烧结处理；冷烧结结束后获得初步致密化的陶瓷生坯；(7)将所得的陶瓷生坯进行热处理，得到具有核‑壳结构的致密化LiF‑CaTiO3陶瓷。

本发明公开了一种同时提高蓄光陶瓷光效及稳定性的方法，首先将将钙的乙醇溶液加入到钛前驱体液中，加入分散剂油酸，随后加入纯水、蓄光粉，得到蓄光粉‑钛酸钙凝胶，干燥、粉碎、过筛得到干凝胶粉；将玻璃基质原料、过筛的干凝胶粉、分散剂放入造粒机内，加入纯水后直接机械搅拌造粒，搅拌4～8小时后加入增塑剂，继续搅拌1～3小时得到混料，压片、干燥、炉窑烧制即可。通过人工可控引入钛酸钙为第二相来包裹蓄光粉形成“核壳结构”保护蓄光粉不会发生水解或高温氧化；作为蓄光粉镀层的钛酸钙还能改变荧光在陶瓷内部的传播路径，提高光吸收和荧光输出效率；同时，表面为钛酸钙的蓄光粉改善了陶瓷浆料瘠性，利于陶瓷成型。

本发明属于微波介电陶瓷技术领域，具体涉及一种微波介电陶瓷的制备方法和产品。所述制备方法包括以下步骤：(1)以纯度均为99.9%的MgCO3、La2O3、Nd2O3、Nb2O5、Ta2O5和TiO2粉末为原料；(2)按照结构式为（Mg（1‑a‑b）LaaNd）b（Ti1‑x‑yNbxTay）O3，其中，a为0.001~0.01，b为0.001~0.01；x为0.02~0.03；y为0.02~0.03，称量原料，采用湿法球磨，球磨介质为无水乙醇，进行球磨；(3)球磨后的粉体烘干，预煅烧；(4)将预烧后的粉体放入到玛瑙研钵中，进行二次球磨；(5)二次球磨后的粉体烘干，加入到陶瓷研钵中，加入5wt%的PVA溶液，混合均匀后，进行造粒，在30~60MPa下压制成胚体，然后将胚体排胶，然后在1270~1330℃下烧结3~6h，然后自然冷却至室温得到微19波.95介，品电质陶因瓷数。Q所×述f为微2波.1介2×电1陶05~瓷2.2的5×介1电05常GH数z，ɛ温r为度1系8.数72为~τf为‑49.1~‑43.3ppm/℃。

本发明涉及CCTO介电材料，特指一种碳改性CaCu3Ti4O12高介电材料的制备方法。本发明采用溶胶-凝胶法制备CCTO纳米粉体，并以其为原料制备碳改性的CCTO粉体及陶瓷；碳作为一种晶粒拟制剂，在烧结过程中影响界面能，进而阻止晶粒的异常长大，得到晶粒分布更为均匀致密性更好的CCTO陶瓷，通过改变碳的量来制备不同晶粒尺寸的陶瓷；实验结果发现碳改性的CCTO陶瓷具有良好的烧结性能，经过1000℃烧结6小时后的陶瓷具有更低的介电损耗。