本发明属于多孔陶瓷泡沫材料领域，涉及一种纳米金刚石/氮化硼复合材料的制备方法，用以解决模板法和化学气相沉积法存在的工艺复杂、成本高，材料的孔隙率和比表面积不佳的问题。通过对纳米金刚石进行有机改性，能有效使纳米金刚石均匀分散在预聚体中，一起形成致密的泡沫骨架。采用浸渍法将氮化硼前驱体均匀涂抹到三聚氰胺的骨架上，干燥形成金刚石/氮化硼前驱体发泡体，经高温煅烧后，获得纳米金刚石/氮化硼复合材料。该纳米金刚石/氮化硼复合材料孔隙率高、比表面积大；且易于填充，可通过调整固化剂、发泡剂含量实现孔径和孔隙的调整。并且由于其比表面积较大，高导热，还可用于气体吸附和催化剂载体等领域。
📄 2023112585867
📂 C04B35_5835
👤 郑州职业技术学院
📅 2023-09-27
本发明公开了一种隔离粉及其制备方法。其中，该制备方法包括以下步骤：1)在N2的保护下，分别将经预处理后的α‑Si3N4粉体、BN粉体、活性炭和Si粉体中制成微纳粉体S1、S2、S3和S4；2)将前述的微纳粉体S1、S2、S3和S4按比例输送至粉体混料机中，在N2的保护下混合成混合粉料S0；3)将混合粉料S0转移至砂磨机中，转移过程中保持无氧气接触，并同时加入无水乙醇和胶结剂进行研磨，以制成微纳浆料J0；4)使用喷雾造粒机对微纳浆料J0进行造粒，并用孔径分别为M1+100μm和M1的筛子对颗粒进行过筛；5)对中间尺寸的颗粒进行排胶处理后，即得隔离粉产品。由本发明制备得到的隔离粉，能够使得氮化铝基板内的氧气达到最小值，进一步提高了氮化铝基板材料的热导率。
📄 2022110023292
📂 C04B35_584
👤 江苏方达正塬电子材料科技有限公司
📅 2022-08-19
本发明提供氮化硅陶瓷基板素坯的制备方法，包括以下步骤：S1：将市售α‑Si3N4粉体以及稀土氧化物进行预处理；S2：制备微纳浆料：N2保护下分别将经预处理的市售α‑Si3N4粉体、稀土氧化物按比例混合在混料器中充分混匀，生成S0；在市售分散剂中加入聚硅氧烷生成L1，将非水系增塑剂和湿润剂混合成L2；将非水系粘结剂和有机溶剂在N2保护下充分搅拌溶解制成液态溶液L3；将S0、L1、L2和L3混合、砂磨制成微纳浆料J0，S3：制备流延片；S4：制备素坯；S5：制备氮化硅基板毛板测量性能，本发明制得的素坯制得的基板毛板测量热导率都在85W/(m·K)以上，较现有技术中制得的氮化硅基板的热导率都有得到了显著的提升，测量的断裂韧性都在6.5MPa/m2以上。
📄 2022105684878
📂 C04B35_584
👤 江苏方达正塬电子材料科技有限公司
📅 2022-05-23
本发明公开一种制备氮化铝粉体的新混料工艺。本发明采用Al(OH)3和C为原料，通过加入一定量的PVB和一定量的乙醇，搅拌混合至粘稠状态，然后放入三辊机中研磨，得到混合均匀有一定粘性的粘稠浆料，再将该粘稠浆料放入烘箱中烘干，再经碳热还原反应合成氮化铝与碳的混合物，混合物经脱碳得到氮化铝粉体。本发明三辊法配合pvb浆料混料可以快速将粉体混合均匀，提高生产效率，减少粉尘污染。
📄 2019102574249
📂 C04B35_581
👤 浙江工业大学
📅 2019-04-01
本发明公开一种片状氮化铝陶瓷粉体的制备方法及其产品。本发明以去离子水为分散介质，将Al2O3粉、碳黑和Na3AlF6经球磨均匀混合，干燥得到前驱体；在流动氮气气氛中，前驱体通过碳热还原反应和氮化反应得到微米级片状氮化铝陶瓷粉体。本发明无需预先制备片状模板，可直接生成片状AlN，解决现有工艺依赖前驱体形貌的技术缺陷。
📄 2025113213502
📂 C04B35_581
👤 浙江工业大学
📅 2025-09-16
本发明公开一种基于高低温碳热还原法的超细氮化铝粉体制备工艺。采用纳米Al2O3和碳黑为原料，加入作为分散剂的含有碳氢氧元素的非离子型表面活性剂，混合搅拌形成粘稠的浆料，然后通过球磨一定时间，使浆料混合均匀，之后将混合后的浆料放入干燥箱中烘干，再通过高低温复合碳热还原合成反应制备得到超细氮化铝粉体。本发明采用高低温复合碳热还原合成工艺，首先在1580～1630℃的高温及较短时间下于氧化铝颗粒表面形成氮化铝层，利用该氮化铝层阻碍氧化铝颗粒的烧结与团聚，然后降低至1450～1550℃的较低温下经长时间氮化，最终使纳米氧化铝原位氮化生成超细氮化铝。
📄 2024109500124
📂 C04B35_581
👤 浙江工业大学
📅 2024-07-16
本发明提供一种高熵硼化物陶瓷及制备方法，高熵硼化物陶瓷为单相的三元硼化合物，三元硼化合物的化学式为(WaMob)2(FexCoyNiz)B2，三元硼化合物的单相结构表现为Mo2NiB2型，并且与Mo2NiB2相的标准特征峰显示出偏移，主要是由于W和Mo固溶，Fe、Co和Ni固溶，形成高熵合金，造成晶格畸变，从而产生固溶强化作用，进一步提高硼化物陶瓷的硬度，此外，本发明提供的一种高熵硼化物陶瓷的制备方法，工艺简单，合成温度低，适应于大批量工业化推广和应用。
📄 2023116357893
📂 C04B35_58
👤 西南大学
📅 2023-12-01
本发明提供一种电子件切割用高强耐磨数控刀片及其制备工艺。一种电子件切割用高强耐磨数控刀片的制备工艺包括以下步骤：加入氧化铝和氧化锌并均质混合；加入其他组分并均匀混合；冷压成型并烧结；表面预处理；微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜。本发明通过以氮化硼微粉为主要原料，配合氧化铝、氧化锌、石蜡和微晶蜡等经冷压成型和烧结制成基体刀片，然后在基体刀片表面沉积金刚石薄膜制成的数控刀片不仅硬度高、耐磨性强，而且具有较高的精度，其金刚石薄膜与基体刀片间的界面结合力较强，不易脱落，适用于电子件等对精度要求较高材料的切削。
📄 2025102878803
📂 C04B35_5835
👤 济南琼齐电子科技有限公司
📅 2025-03-12
本发明公开了一种高硬度高韧性B4C-W2B5复合陶瓷，掺杂相W2B5均匀分布于B4C基体中，其中W2B5和B4C的摩尔比为1:2、1:3、1:4或1:5。该复合陶瓷的制备方法，包括两种，一种以B粉和WC粉为原料，另一种以B粉、C粉和WC粉为原料，采用原位合成的方法制备而成。具体是先将原料粉使用球磨机干磨，得到混合均匀的磨料；然后预压成型；最后置于烧结炉烧结得到。本发明制备的B4C-W2B5复合陶瓷具有优良的综合性能：致密化温度仅1700℃，硬度为28.8～37.9GPa)，断裂韧性为7.8～10.9MPa·mm1/2。
📄 2016109009049
📂 C04B35_58
👤 西安理工大学
📅 2016-10-17
本发明公开了一种高硬度高韧性B4C‑W2B5‑C复合陶瓷，W2B5和C均匀分布于基体B4C中，其中B4C和W2B5的摩尔比为1:4，C的体积占产物总体积的5～10vol％。其制备方法为：按照摩尔比为17:2:2的比例称取硼粉、石墨粉和WC粉，然后再添加以上粉末总体积5～10vol％的石墨粉，使用球磨机干磨，再预压成型；最后置于烧结炉中，保证烧结压力为30Mpa，1000℃～1200℃范围内保温3‑5min，1400～1550℃范围内保温3‑5min，1700℃保温6‑10min即得。本发明复合陶瓷致密化温度仅1700℃，高断裂韧性(7.8～11.9MPa·mm1/2)。
📄 2016109023099
📂 C04B35_58
👤 西安理工大学
📅 2016-10-17
本发明公开了一种硼化铪‑碳化硅‑石墨‑硅化钽复合陶瓷发热体及其制备方法，按以下步骤进行：按比例配取硼化铪、碳化硅、石墨及硅化钽混合粉末作为球磨物料，将球磨物料与无水乙醇按体积比为1：(1～2)的比例加入球磨机中球磨；其中，硼化铪体积百分比为60vol％～83vol％，碳化硅的体积百分比10vol％～20vol％，石墨的体积百分比为5vol％～15vol％，硅化钽的体积百分比为2vol％～5vol％；采用旋转蒸发器对混合浆料予以干燥；将混合好的粉末装入石墨模具放入真空热压炉进行热压烧结。本发明以硼化铪、碳化硅、石墨及硅化钽为原料，制备的发热体致密度高、使用温度高、在氧化性环境中最高使用温度达2500℃、抗氧化和机械强度优异，在安装使用过程不易发生断裂，且工艺简单，生产周期短，适合工业化生产。
📄 2016104199282
📂 C04B35_58
👤 滁州学院
📅 2016-06-15
本发明公开了一种无碳复合陶瓷浸入式水口材质及其制备方法，属于复合陶瓷技术领域。本发明以硼化铪、氧化锆纤维、硅化铌、氮化硅为原料，采用先后球磨混料、干燥、热压烧结等工艺制备硼化铪‑氧化锆纤维‑硅化铌‑氮化硅复合陶瓷浸入式水口材质，通过先后球磨、在石墨纸和模具内壁涂敷六方氮化硼润滑及添加烧结助剂硅化铌确保了氧化锆纤维‑硅化铌‑氮化硅复合陶瓷浸入式水口材质的可靠性，此水口同时具有防堵塞和洁净钢水功能。硼化铪‑氧化锆纤维‑硅化铌‑氮化硅复合陶瓷浸入式水口材质致密度高、耐钢水侵蚀、抗氧化、机械强度优异，安装使用过程不易发生断裂，使用可靠性高。此方法工艺简单，生产周期短，适合工业化生产。
📄 2019111725799
📂 C04B35_58
👤 滁州学院
📅 2019-11-26
柿子坊 · 知识产权运营
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