本发明涉及一种无压烧结制备高致密Ti2AlN陶瓷的方法，属于高纯高致密陶瓷的无压制备技术领域。其特征是以Ti和AlN作为原料，IIIA族和IVA族单质（如单质Si、Sn、In等）作为添加剂，利用少量添加剂夺取金属Ti中固溶的O元素从而使Ti更易和AlN中的Al发生反应，促进Ti2AlN的生成；同时加入添加剂促进烧结体中形成液相，促进物质传递从而促进Ti2AlN陶瓷的致密化。具体步骤包括：以一定含量比的市售钛粉、氮化铝粉和添加剂粉为原料，将研磨球和原料粉加入到球磨罐中，以酒精或水作为球磨介质；一定球磨时间后将上述粉料取出、烘干，采用一定压力的冷等静压成型；将成型后的试块置于无压气氛烧结炉或真空烧结炉中，通以烧结气氛或抽真空，随后以一定的升温速率升至一定温度并保温。本发明为促进Ti2AlN陶瓷的进一步发展应用提供了技术支持，具有重要的实用意义和广泛的社会价值。
📄 201910196116X
📂 C04B35_58
👤 济南大学
📅 2019-03-15
本发明属于超高温陶瓷技术领域，公开了一种高热导率硼化锆陶瓷及其制备方法和应用，所述硼化锆陶瓷是以ZrB2为原料，B2O3为催化剂，添加B和C烧结助剂后混合，得到ZrB2‑B2O3‑B‑C混合粉体，再将该混合粉体过筛，在热压烧结制得。该方法具有工艺简单、成本低等优点，制备的ZrB2陶瓷具有高热导率，其相对密度大于95％，热导率大于100W/(m·k)，能够用于航空航天领域中，特别有望适用于高超声速飞行器的鼻锥和机翼前缘关键部位。
📄 2018106617836
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2018-06-25
本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种具有多元高熵的陶瓷及其制备方法和应用。该陶瓷是以Me1的氧化物、Me2的氧化物、Me3的氧化物、Me4的氧化物、Me5的氧化物和无定型硼粉为原料，球磨混合后压制成坯体；放入石墨坩埚中进行真空热处理得(Me1xMe2yMe3zMe4nMe5m)B2固熔体粉体；采用放电等离子烧结将上述固熔体粉体升温至1000～1400℃时充入保护气氛，然后升温至1800～2200℃煅烧制得。所得多元高熵陶瓷的相对密度>95％，硬度为25～35GPa，断裂韧性为2～8MPa·m1/2，晶粒尺寸为0.1～1.1μm，经1000℃～1500℃热处理后重量变化率为0.3～1％。
📄 201811196871X
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2018-10-15
本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种超细高熵固熔体粉末及其制备方法和应用。所述固熔体粉末是将金属氧化物和无定型硼粉为原料粉体，加入溶剂和球磨介质进行混合，干燥后得到混合粉体，将混合粉体模压制成的混合粉末坯体，在真空条件下进行热处理，先升温至800～1200℃保温Ⅰ，再升温至1400～1600℃保温Ⅱ，经研磨过筛制得，所述氧化物为HfO2、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5、Cr2O3、TiO2或MoO3中的一种以上，所述金属氧化物中金属原子间的摩尔比相同。该固熔体粉末存在均一固熔体相，具有颗粒尺寸小，组分均匀稳定的优点。
📄 2018111968758
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2018-10-15
本发明属于于陶瓷材料技术领域，公开了一种原位合成氮化硅/硼化锆复相陶瓷及其制备方法和应用，所述氮化硅/硼化锆复相陶瓷是将预氧化的ZrB2、Si粉和烧结助剂MgO‑Y2O3经混料，干燥后得到Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3混合粉体；将混合粉体进行造粒和成型，再采用冷等静压制得Si‑ZrB2‑MgO‑Y2O3坯体；将坯体在氮气气氛下，升温至1300～1450℃烧结，然后升温至1500～1600℃烧结并保温制得。本发明方法所制备的Si3N4‑ZrB2复相陶瓷的相对密度为95～99％，硬度为18～25GPa，断裂韧性为10～15MPa·m1/2，抗弯强度为800～1200MPa。
📄 2019107747634
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2019-08-21
本发明属于陶瓷技术领域，公开了一种高韧性的ZrN陶瓷及其制备方法和应用。该方法是将ZrN粉体在空气中250～400℃氧化，在ZrN表面形成薄的ZrO2层，纳米Al2O3粉体在1100～1300℃煅烧，得到枝状Al2O3粉体；再将氧化后的ZrN粉体与枝状Al2O3粉体机械混合，得到混合粉体；将混合粉体预压成型，在气氛或真空下，升温至1600～1800℃，加压20～60MPa，经热压烧结或放电等离子烧结，制得ZrN陶瓷。该ZrN陶瓷的致密度在97％以上，韧性为7～9.3MPa·m1/2，热导率为8.6～11W·(m‑1·K‑1)，可应用在核能领域中。
📄 2023117092175
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2023-12-13
本发明提供了高韧性立方氮化硼复合材料及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：首先，将立方氮化硼粉末与氮化硅粉末按不同比例混合，并进行预处理；接着，在高温高压条件下将混合物进行合成处理，具体合成压力为5GPa，温度范围为1000℃‑1800℃；然后，保温保压一段时间后冷却并卸压，得到立方氮化硼与氮化硅的复合材料。通过调节氮化硅的比例和其晶相的转变(α相向β相)，该方法在不显著降低立方氮化硼硬度的前提下，显著提高了其韧性，从而有效解决了超硬材料中硬度和韧性之间的矛盾。该方法工艺简单，适合工业化生产，所得复合材料在精密切削和其他高要求工业加工中具有广泛的应用潜力。
📄 202411501272X
📂 C04B35_5831
👤 宁波大学
📅 2024-10-25
本发明属于多孔陶瓷泡沫材料领域，涉及一种纳米金刚石/氮化硼复合材料的制备方法，用以解决模板法和化学气相沉积法存在的工艺复杂、成本高，材料的孔隙率和比表面积不佳的问题。通过对纳米金刚石进行有机改性，能有效使纳米金刚石均匀分散在预聚体中，一起形成致密的泡沫骨架。采用浸渍法将氮化硼前驱体均匀涂抹到三聚氰胺的骨架上，干燥形成金刚石/氮化硼前驱体发泡体，经高温煅烧后，获得纳米金刚石/氮化硼复合材料。该纳米金刚石/氮化硼复合材料孔隙率高、比表面积大；且易于填充，可通过调整固化剂、发泡剂含量实现孔径和孔隙的调整。并且由于其比表面积较大，高导热，还可用于气体吸附和催化剂载体等领域。
📄 2023112585867
📂 C04B35_5835
👤 郑州职业技术学院
📅 2023-09-27
本发明公开了一种隔离粉及其制备方法。其中，该制备方法包括以下步骤：1)在N2的保护下，分别将经预处理后的α‑Si3N4粉体、BN粉体、活性炭和Si粉体中制成微纳粉体S1、S2、S3和S4；2)将前述的微纳粉体S1、S2、S3和S4按比例输送至粉体混料机中，在N2的保护下混合成混合粉料S0；3)将混合粉料S0转移至砂磨机中，转移过程中保持无氧气接触，并同时加入无水乙醇和胶结剂进行研磨，以制成微纳浆料J0；4)使用喷雾造粒机对微纳浆料J0进行造粒，并用孔径分别为M1+100μm和M1的筛子对颗粒进行过筛；5)对中间尺寸的颗粒进行排胶处理后，即得隔离粉产品。由本发明制备得到的隔离粉，能够使得氮化铝基板内的氧气达到最小值，进一步提高了氮化铝基板材料的热导率。
📄 2022110023292
📂 C04B35_584
👤 江苏方达正塬电子材料科技有限公司
📅 2022-08-19
本发明提供氮化硅陶瓷基板素坯的制备方法，包括以下步骤：S1：将市售α‑Si3N4粉体以及稀土氧化物进行预处理；S2：制备微纳浆料：N2保护下分别将经预处理的市售α‑Si3N4粉体、稀土氧化物按比例混合在混料器中充分混匀，生成S0；在市售分散剂中加入聚硅氧烷生成L1，将非水系增塑剂和湿润剂混合成L2；将非水系粘结剂和有机溶剂在N2保护下充分搅拌溶解制成液态溶液L3；将S0、L1、L2和L3混合、砂磨制成微纳浆料J0，S3：制备流延片；S4：制备素坯；S5：制备氮化硅基板毛板测量性能，本发明制得的素坯制得的基板毛板测量热导率都在85W/(m·K)以上，较现有技术中制得的氮化硅基板的热导率都有得到了显著的提升，测量的断裂韧性都在6.5MPa/m2以上。
📄 2022105684878
📂 C04B35_584
👤 江苏方达正塬电子材料科技有限公司
📅 2022-05-23
本发明公开一种制备氮化铝粉体的新混料工艺。本发明采用Al(OH)3和C为原料，通过加入一定量的PVB和一定量的乙醇，搅拌混合至粘稠状态，然后放入三辊机中研磨，得到混合均匀有一定粘性的粘稠浆料，再将该粘稠浆料放入烘箱中烘干，再经碳热还原反应合成氮化铝与碳的混合物，混合物经脱碳得到氮化铝粉体。本发明三辊法配合pvb浆料混料可以快速将粉体混合均匀，提高生产效率，减少粉尘污染。
📄 2019102574249
📂 C04B35_581
👤 浙江工业大学
📅 2019-04-01
本发明公开一种片状氮化铝陶瓷粉体的制备方法及其产品。本发明以去离子水为分散介质，将Al2O3粉、碳黑和Na3AlF6经球磨均匀混合，干燥得到前驱体；在流动氮气气氛中，前驱体通过碳热还原反应和氮化反应得到微米级片状氮化铝陶瓷粉体。本发明无需预先制备片状模板，可直接生成片状AlN，解决现有工艺依赖前驱体形貌的技术缺陷。
📄 2025113213502
📂 C04B35_581
👤 浙江工业大学
📅 2025-09-16
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