发明专利 已授权

一种Cu2+、Ta5+和F-共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及其制备方法

📄 申请号:CN202411937899.X 📄 发布日:2026/09/01

著录项目信息

申请日
2024-12-26
公开号
CN119874351B
公开日
2025-09-26
申请人
陕西科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电子元器件, 电容器, 储能设备, 高频通信

摘要

本发明公开了一种Cu2+、Ta5+和F‑共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料的结构通式为(Cu1/3Ta2/3)0.1Ti0.9‑x/4O2‑xFx,其中x的取值为0.04~0.064,本发明通过配料、球磨、预烧、二次球磨、过筛、压片、气氛烧结、空气退火制备而成;本发明制备工艺简单、产率高、重复性好、成本低,所得陶瓷材料都获得巨介电性能,其中,x=0.052时,其介电常数为1130,损耗为0.04,温度稳定性达到X9F(Δεr/ε25℃:‑55℃‑200℃≤±7.5%)。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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