专利交易市场

本发明提供了一种高熵化微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及通信领域的电子元件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为：(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3。其介电常数为6.5～6.9，介电损耗为0.0001～0.0004@10GHz，谐振频率温度系数为‑40～‑24.5ppm/℃，可应用于5G/6G通信领域。其制备方法主要包括：称量、一次球磨、一次预烧、二次球磨、二次预烧、三次球磨、烘干、造粒、过筛、压片和烧结。本发明通过引入高熵设计理念，提出了化学式为(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3的配方，抑制了MgSiO3陶瓷中的晶型转变，获得了稳定的陶瓷，降低了致密化烧结温度，获得了低介电常数和低介电损耗的优异微波介电性能，具有重要的工业应用价值。

本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用，LTCC材料，基于SrCuSi4O10与(Li0.5Y0.5)MoO4进行固相反应法复合获得，可同时解决低温烧结和调节谐振频率温度系数的问题，同时复合材料介电常数和介电损耗也很低，满足低介低损耗的要求。该复合材料可以在不添加任何助熔剂的情况下，实现材料体系900℃左右的低温烧结，同时材料的谐振频率温度系数也能调整到±10ppm/℃以内，材料的介电常数也在7.7～8.0之间，Qf值超过了46000GHz，在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。

本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si4+离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的晶格能高这一特性，通过调整Ba‑Si基陶瓷原料配方，采用固相法，在850℃～950℃的低温下烧结成型致密的Ba‑Si‑B‑M基微波陶瓷材料。在烧结过程中形成低共熔化合物，从而推动晶粒重排，并且随着烧结的进行析出BaSi2O5相的陶瓷；并且没有二次相，确保了陶瓷材料的介电性能和机械性能优异，具有高Q×f值，6～7.5的低介电常数，介电损耗低至6.13×10‑4，可在LTCC中推广应用。

本发明公开的具有较低烧结温度的低介电常数微波介质陶瓷，其化学表达式为：Ca(Mg1-x-yAlxCoy)(Si1-x/2Alx/2)2O6，其中0.05≤x≤0.2，0.3≤y≤0.9。制备过程如下：将CaCO3、MgO、SiO2、Al2O3和CoO等原材料按比例球磨混合，干燥后在1050～1175℃煅烧得到陶瓷粉体；将上述陶瓷粉体重新球磨，然后添加聚乙烯醇水溶液进行造粒、成型、排胶，再在1125～1250℃烧结即可。本发明制备的陶瓷具有较低的介电常数和优良的品质因数，其原材料价格低廉，通过将镁、铝和钴元素引入到硅酸钙的晶体结构中，可将陶瓷的烧结温度降低到1150℃左右，能很好地满足片式多层器件对陶瓷材料低温共烧的工艺要求，具有良好的工业应用价值。

本发明提出一种适应高温环境的压电材料及制备方法，其特征是具有LiGeSiO5的组合式，高居里温度在500‑600℃，而且有较高的灵敏度。本发明还提出该材料的制备方法，首先将Li、Ge原料在高能球磨中机械合金化，然后与有机溶剂混合预制成浆体，与二氧化硅凝胶共混分散，经过压片、烧结得到高居里温度压电材料LiGeSiO5，制备方法简单，成本低廉，压电信号稳定，材料继承了SiO2石英材料的优点，环境稳定性好，居里转变温度高。