发明专利已授权

非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料及制备方法

📄 申请号：CN202311672201.1 📄 发布日：2026/03/13

著录项目信息

申请日

2023-12-07

公开号

CN117623773B

公开日

2025-07-18

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_495

IPC 分类号

C04B35_495

技术画像

所属领域

铁电陶瓷材料铁电陶瓷材料储能陶瓷材料高熵陶瓷材料

应用场景

储能电容器, 脉冲功率器件, 电动汽车, 智能电网, 电子元器件

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摘要

本发明公开了非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料，其结构式为(Sr0.5Ba0.47Gd0.02)Nb1.5M0.5O6，M为Ta1/3Sb1/3Hf1/3、Ta0.25Sb0.25Ti0.25Zr0.25、Ta0.2Sb0.2Ti0.2Zr0.2Hf0.2、Ta0.2Sb0.2Sn0.2Zr0.2Hf0.2中的一种。本发明还公开了高熵铁电储能陶瓷材料的制备方法，称取前驱体原料，球磨，干燥，将得到的混合物预烧，将预烧粉进行造粒，过筛，压片，排胶，烧结，即可。本发明的高熵铁电储能陶瓷材料在550kV/cm外加电场作用下不被击穿，具有较高的储能密度和储能效率，满足先进脉冲功率电容器的需求。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

Gd-Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料及制备方法

当前第 / 件

一种高储能性的稀土掺杂钨青铜结构陶瓷材料及制备方法

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