本发明公开了一种基于冷烧结技术制备的高透光率透明陶瓷及其制备方法，本发明方法包括如下步骤：将LiF原料与不高于50wt％的去离子水进行混合，后将固液混合粉末置于模具中并放入热压机中进行冷烧结，将所得的陶瓷生坯置入80‑200℃烘箱中烘干至恒重，获得具有高致密度和透明度的陶瓷。与传统的透明陶瓷的制备方法相比，本发明所提供的方法操作简便，所需的温度仅为200℃以内，大大降低了能源消耗和生产成本。同时本发明所得透明LiF陶瓷的光学性能优异，可广泛应用于激光、红外、新型光源、原子能工业等领域。
📄 2021103923901
📂 C04B35_553
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-04-13
本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用。本发明提供了MgF2陶瓷材料作为微波介质陶瓷的应用思路，MgF2陶瓷材料同时具备较高的热导率和超低的介电常数（4.60–4.70），解决了现有微波介质中陶瓷基材料的介电常数高、高分子基FR4热导率低的问题。而且MgF2陶瓷材料介电常数与商用的高分子基FR4板接近，同时具有FR4板不能比拟的超低介电损耗（Qf=85983–103086GHz），在未来毫米波通讯领域具有十分重大的应用前景。
📄 202111633420X
📂 C04B35_553
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-12-29
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