本发明公开了一种碳化硅/黑滑石复合陶瓷膜支撑体及其制备方法，该支撑体原料按以下重量份数组成：碳化硅粉5‑20质量份、黑滑石粉5‑10质量份、烧结助剂2‑5质量份、造孔剂1‑5质量份、粘结剂0.01‑0.3质量份、分散剂0.01‑0.1质量份。本发明中使用的黑滑石，其主要化学成分为氧化镁、氧化硅、氧化铝等可起到烧结助剂的作用，能够降低支撑体的烧结温度。本发明可以克服碳化硅陶瓷膜支撑体制备过程中存在烧结温度过高的问题；制备的碳化硅/黑滑石复合陶瓷膜支撑体产品的通量大，机械强度高，同时能够显著降低其生产成本，应用前景广阔。
📄 2021113997136
📂 C04B35_565
👤 浙江工业大学
📅 2021-11-24
本发明公开了一种复式双连续相SiC/Si复合材料的制备方法。首先，将氧化铁和SiC原料按照不同氧化铁添加量进行湿法混料，随后采用旋转蒸发仪进行干燥；将干燥后的粉体加入PVA进行造粒，干压成型后进行烧结获得不同气孔率定向多孔陶瓷。随后采用获得的定向多孔SiC陶瓷作为增强体，利用真空浸渗工艺制备复式双连续相SiC/Si复合材料。本发明采用氧化铁作为造孔剂制备定向多孔陶瓷为纯SiC陶瓷，具有结构定向分布特征，较为优异的高温性能，较高的孔筋密度和抗折强度，因而最终制备的复式双连续相SiC/Si复合材料较高的孔筋密度和抗折强度，大大优于应用于装甲材料的反应烧结法制备的SiC/Si复合材料，具有较好地应用前景。
📄 2015107424235
📂 C04B35_565
👤 陕西科技大学
📅 2015-11-04
本发明属于喷嘴技术领域，特别涉及一种基于应力波理论叠层陶瓷喷嘴制备方法。本发明的特征是：该喷嘴入口采用9层、出口采用7层材料组成。叠层材料以碳化硼、碳化钛、氧化铝、氧化钇为原料，根据各叠层材料的混合理论密度、层厚、喷嘴内外径计算出每一层质量，按叠层顺序和层数摊平于石墨模具中，层层预压放入真空烧结炉，温度1850～1900℃，压力30～35MPa，保温40～60min。通过建立应力波传导理论数学模型，遴选降低磨料冲击的材料参数，提高陶瓷喷嘴抗冲蚀磨损性能；同时入口出口处叠层间热膨胀系数差异，使喷嘴出口和入口处在热压烧结后形成残余压应力，可缓解喷砂过程中喷嘴受到的拉应力。因此本发明制备的叠层陶瓷喷嘴具有良好的抗冲蚀磨损性能，使用寿命大大提高。
📄 2017101305231
📂 C04B35_563
👤 烟台力和新材料有限公司
📅 2017-03-07
本发明涉及多孔陶瓷材料及膜分离技术领域，具体是一种低温烧结耐酸碱多孔碳化硅陶瓷膜及其制备的方法。本发明依次包括以下步骤：(1)支撑体制作、(2)过渡层处理、(3)过滤层处理、(4)膜烧结过程；本发明具有烧结温度低、生产能耗低、工艺方法简单、设备要求低、生产成本和投资成本低、控制灵活、成型容易、适合工业定制、满足规模化生产的特点。该方法生产的多孔碳化硅陶瓷膜具有亲水性好，过滤通量大，空隙率高、过滤精度高、机械强度高，耐酸碱性好、使用寿命长的特点。
📄 201710654809X
📂 C04B35_565
👤 浙江理工大学
📅 2017-08-03
本发明涉及多孔陶瓷材料及膜分离技术领域，具体是一种低温烧结耐酸碱多孔碳化硅陶瓷支撑体及其制备的方法。本发明依次包括以下步骤：泥料制备；挤出成型；低温烘干；高温烧结；其中，泥料制备中使用的原料为碳化硅粉、烧结助剂、成型机、造孔剂、润滑剂和溶剂；主要特征在于利用一种能耐酸碱的烧结助剂在1400℃以下就可以烧制机械强度高、空隙率高、耐酸碱的多孔碳化硅陶瓷支撑体。本发明的优点是具有烧结温度低、生产能耗低、工艺方法简单、设备要求低、生产成本和投资成本低、控制灵活、成型容易、适合工业定制、满足规模化生产的特点。
📄 2017106567334
📂 C04B35_565
👤 浙江理工大学
📅 2017-08-03
本发明属于陶瓷材料领域，具体涉及一种高温陶瓷用Al4SiC4的制备方法。该方法以硝酸铝、柠檬酸、正硅酸乙酯和聚乙二醇为原料，利用液相法配制前驱体溶液，经老化干燥热处理后获得Al4SiC4材料。该方法原料混合均匀、成本低，工艺简单，反应时间短，热处理温度低，是一种低成本、高效率、简单易行、绿色健康的Al4SiC4高温陶瓷材料的制备方法。
📄 2018102473972
📂 C04B35_56
👤 陕西科技大学
📅 2018-03-23
本发明公开了一种利用前躯体压制成型制备ZrC陶瓷的方法，具体包括：步骤1，ZrC前躯体粉体处理：称取适量的ZrC前躯体粉体，用网筛过筛得到细粉；步骤2，配制PVA粘结剂：称取适量PVA于烧杯中并加入适量去离子水，水浴加热下搅拌，直到溶液透明均匀且无气泡；步骤3，将适量PVA粘结剂按比例滴入ZrC前躯体粉末中，然后用玻璃棒进行搅拌，直到ZrC前躯体粉末不出现颗粒状聚集；步骤4，称取适量混合后的ZrC前躯体粉末置于模具，然后使用手动压力机压块，脱压取块后即可得到ZrC前躯体块体；步骤5，将制备的前躯体块体在氩气保护下高温烧结，得到ZrC陶瓷。本发明生产工艺过程简单、成本较低、符合大规模工业化生产。
📄 202010314190X
📂 C04B35_56
👤 西安理工大学
📅 2020-04-17
本发明公开了一种碳化硼陶瓷的制备方法，该制备方法首先对碳化硼施加较低的恒定压力，然后在最高烧结温度时将恒定压力调整为振荡压力，最后在冷却阶段调整为较低的恒定压力得到碳化硼陶瓷。该方法将振荡压力施加在烧结中期至烧结末期，其改变了碳化硼烧结过程的致密化机理，能够在1700‑1800℃实现纯碳化硼的致密化，且烧结压力较小，此种烧结方式可引入大量晶体缺陷，实现材料性能的大幅提升，所制备得到的碳化硼陶瓷致密度高。且本发明采用的较低的烧结压力降低了对烧结设备和所用石墨模具的要求，有助于制备更大尺寸的高性能碳化硼陶瓷构件。
📄 202110835865X
📂 C04B35_563
👤 郑州航空工业管理学院
📅 2021-07-23
本发明公开了一种陶瓷复合材料及其制备方法，陶瓷复合材料包括以下重量份的成分：ZrB2‑SiC 75～90份、高岭土20～30份、纳米氧化锆6～10份、纳米氧化铝3～5份、纳米氧化镁2～6份、纳米二氧化钛1～6份、碳纤维3～10份、玻璃纤维4～8份、凹凸棒土6～8份、硅藻土10～12份、电气石10～15份、麦饭石10～15份、聚乙二醇5～10份、硅烷偶联剂3～6份。本发明的陶瓷材料以ZrB2‑SiC粉体为主要原料，制得的陶瓷材料具有良好的耐高温性能、导电和导热性能，较高的机械强度和化学稳定性，另外，添加的电气石、麦饭石、凹凸棒土和硅藻土等天然物质作为主要原料，原料来源广泛，并且具有释放负离子、辐射远红外线、抗菌、除氯、除贵金属等特性；本发明添加的碳纤维、玻璃纤维可以增加陶瓷的韧性。
📄 201811118194X
📂 C04B35_565
👤 广东华科新材料研究院有限公司
📅 2018-09-25
本发明公开了一种快速低温制备致密TiC陶瓷的方法，本发明的快速低温制备TiC陶瓷的方法是：采用化学沉淀法在TiC基体颗粒表面引入氧化铝纳米颗粒，通过SPS技术一步和两步快速烧结技术，可在1500℃和1400℃制备出几乎完全致密的TiC陶瓷，相对于同样致密度的纯TiC陶瓷，其断裂韧性也得到了显著提高。
📄 2022101481516
📂 C04B35_56
👤 惠州学院
📅 2022-02-17
本发明涉及一种大空位非计量比活性Ti3AlC2陶瓷材料的制备方法，以TiH2粉、Al粉、C粉为原料，在高温高压条件下合成Ti3AlC2陶瓷材料，所述TiH2、Al、C的摩尔比为3:1:(1.2～1.8)。本发明的大空位非计量比活性Ti3AlC2陶瓷材料的制备方法由于在合成过程中，TiH2在高温高压作用下脱出氢气，生成气孔，使Ti3AlC2产生大量空位缺陷。同时在合成Ti3AlC2过程中，碳的含量偏离化学计量比，结构发生微变形，使Ti3AlC2产生大量非化学计量缺陷。因此，所得产品具有大量空位缺陷和非化学计量缺陷，活性高，既能与低浓度酸反应也能与碱反应，具有极大地应用价值。
📄 2018112944360
📂 C04B35_56
👤 燕山大学
📅 2018-11-01
本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
📄 2021115749520
📂 C04B35_565
👤 燕山大学
📅 2021-12-21
柿子坊 · 知识产权运营
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