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本发明公开了一种稀土钙钛矿高熵氧化物材料及其制备方法与应用，其中RE为稀土Gd，Tb，Dy，Ho，Er中的二种或三种且各组成元素摩尔含量范围为25％‑55％、总含量为100％，TM为Mn，Fe，Co，Cu，Ni，Zn，Al，Cr中的三种或四种且各组成元素摩尔含量范围为20％‑35％、总含量为100％；RETMO3材料为单相正交钙钛矿结构，属于Pnma空间群。RETMO3高熵氧化物材料在0～5T的外场变化下，其等温磁熵变为13.6‑18.2J/kg K。本发明制备的RETMO3高熵氧化物材料应用于低温区磁制冷领域，所需设备简单，工艺简洁可靠，所得产物纯度高稳定性好，适合工业化生产。

一种镁铁氧体基低损耗磁介材料，属于电子材料领域。所述磁介材料是以镁铁氧体作为基础材料，采用镨掺杂进行改性得到的，镨掺杂的镁铁氧体材料为Mg1-xCdxFe2-yPryO4尖晶石铁氧体材料，其中，x取值为0.1～0.3，y取值为0.02～0.08。本发明磁介材料利用Pr离子的改性，调节材料的磁性能和介电性能，实现了低温烧结和磁介近似相等，同时材料的合成工艺控制晶粒生长均匀，材料具有较低的磁损耗参数，在1MHz～30MHz的频率范围内具有等磁介性和低损耗性；该磁介材料作为天线基板材料时，可很好地实现天线的小型化，且有利于提高微带天线的辐射效率和带宽，为小尺寸无线通信设备的设计提供了新的方案。

本发明公开了一种高击穿的多铁性陶瓷，其化学计量式为（1-x）BiFeO3-xLaAlO3。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法，将LaAlO3添加到BiFeO3中，通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压和烧结得到（1-x）BiFeO3-xLaAlO3陶瓷样品。本发明提供的高击穿的（1-x）BiFeO3-xLaAlO3陶瓷材料制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，提供了一种高击穿的多铁性陶瓷基体。