本发明提供了一种新的高储能性能介质陶瓷材料,其化学计量式为(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-x BaHfO3。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法,将BaHfO3添加到Na0.5Bi0.5TiO3中,通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压和烧结得到(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-x BaHfO3 ((1-x) NBT-x BH)陶瓷样品。本发明提供的(1-x) NBT-x BH高储能性能介质陶瓷材料制备工艺简单,材料成本低,绿色环保,提供了一种新的无铅的储能材料基体。
📄 2018115326789
📂 C04B35_475
👤 深圳万知达科技有限公司
📅 2018-12-14
本发明属于高温压电陶瓷材料领域,具体涉及兼具高压电性能和低损耗的钛酸锶铋—钪酸铋—钛酸铅系高温压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x‑y)BiScO3‑yPbTiO3‑1mol%MnO2,其中0.01≤x≤0.04,0.62≤y≤0.64。本发明制备的陶瓷材料的介电损耗在室温到高温范围内大幅度降低,还保持了高压电性能和高居里温度,满足高温压电传感器对压电功能元件的要求,制备工艺简单、烧结温度低、成本低、适宜于大规模的工业化生产,在高温压电加速度计传感器件、高温压电阀和高温压电马达驱动器、高温压电能量收集等方面具有广泛的应用前景。
📄 2021107096537
📂 C04B35_472
👤 济南大学
📅 2021-06-25
本发明涉及一种低损耗、高电阻率Bi4Ti3O12基无铅压电陶瓷的制备方法,首先通过氧化铋和二氧化钛制备Bi4Ti3O12粉体,后在Bi4Ti3O12粉体中掺杂Fe2O3,经过球磨后燥、研磨、造粒、压片成型,在1000~1100℃烧结,制得低损耗、高电阻率的Bi4Ti3O12基无铅压电陶瓷。本发明提供了一种制备工艺简单、符合工业化生产需求、掺杂物质简单易得,相比BIT陶瓷晶粒细化、均匀;制备陶瓷的介电损耗降低,电导率高,压电活性好;制备的陶瓷纯度高、不含其他杂项,不含Pb等有害化合物,符合绿色电子材料制造要求的Bi4Ti3O12基无铅压电陶瓷的制备方法。
📄 2014106923443
📂 C04B35_475
👤 陕西科技大学
📅 2014-11-26
本发明属于光电功能材料领域,提供一种具有发光特性的BNT基无铅电致伸缩材料,其化学成分符合化学通式:(1‑x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑xM‑yR,其中,M选自BaTiO3或(Ba0.90Ca0.10)(Ti0.92Sn0.08)O3中的一种,R选自Pr、Sm、Eu、Tb、Gd、Dy、Er、Ho或Tm中的一种,0.06 ≤ x ≤ 0.09,0.001 ≤ y ≤ 0.01。本发明还进一步提供了一种具有发光特性的BNT基无铅电致伸缩材料的制备方法及应用。该材料除具备光致发光特征之外,还具有优良的无滞后电致伸缩性能,有望在光电集成、微机电、光电传感以及LED的技术领域中得到应用。
📄 2015102797450
📂 C04B35_475
👤 聊城大学
📅 2015-05-27
本发明公开一种稀土掺杂钛酸铋钠钙钛矿材料及其制备方法,属于无机材料技术领域,一种稀土掺杂钛酸铋钠钙钛矿材料化学通式为Bi0.5‑x‑yMxYbyNa0.5TiO3,M为稀土元素离子,x的取值范围为0.001≤x≤0.2,y的取值范围为0≤y≤0.3,通过溶胶‑凝胶自蔓延燃烧法制备的稀土掺杂钛酸铋钠纳米粉,相比现有技术合成温度显著下降,可以在200℃‑300℃的低温下合成;用所得纳米粉制备的陶瓷块体材料的最终烧结温度也得到显著下降,在800℃‑1000℃的较低温度下合成,而且呈现结晶完好的钙钛矿相结构,在红外光的激发下能够实现上转换发光,相比现有技术其介电特性、铁电特性和压电特性都得到了改善,并且不含铅,环保无污染。
📄 2017110348039
📂 C04B35_475
👤 西安工业大学
📅 2017-10-30
本发明公开了一种新的无铅反铁电体陶瓷材料,其化学计量式为0.775NBT-0.225BSN-xwt%MgO。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法,将MgO添加到0.775Na0.5Bi0.5TiO3-0.225BaSnO3中,通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压和烧结得到0.775Na0.5Bi0.5TiO3-0.225BaSnO3-xwt%MgO(0.775NBT-0.225BSN-xwt%MgO)陶瓷样品。本发明提供的0.775NBT-0.225BSN-xwt%MgO无铅反铁电体陶瓷材料制备工艺简单,材料成本低,绿色环保,提供了一种新的无铅的储能材料基体。
📄 2017113178650
📂 C04B35_475
👤 陕西科技大学
📅 2017-12-12
本发明公开了一种高储能密度ST-NBT-BT陶瓷材料及其制备方法,首先按照摩尔比分别称量相应质量的原材料,合成ST粉体,NBT粉体与BT粉体,并将ST粉体,NBT粉体与BT粉体混合进行球磨、烘干、压块后,形成全配料,然后将全配料依次进行过筛,形成过筛料;其次将过筛压制成试样,并将制好的试样进行烧结得到烧结试样;最后打磨、清洗烧结试样,在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料,将涂覆银电极的试样进行烧结得到高储能密度ST-NBT-BT陶瓷材料。利用本发明的方法得到的高储能密度ST-NBT-BT陶瓷材料不但具有高的储能密度,而且制备工艺简单,材料成本低,绿色环保。
📄 2017113402105
📂 C04B35_47
👤 陕西科技大学
📅 2017-12-14
本发明涉及一种稀土掺杂的钛酸铋钠基陶瓷及制备方法和同时调节压电性能和发光性能的电场调节方法,所述钛酸铋钠基陶瓷的化学通式为(1‑x‑y‑z)Bi0.5Na0.5TiO3‑x(BaTiO3/Bi0.5K0.5TiO3)‑y(SrTiO3/Na0.5K0.5NbO3)‑zM,其中,M为Sm、Pr、Er、Nd、Ho、Tb、Dy或Eu;x=0~30%,y=0~30%,z=0.1~2%。该钛酸铋钠基陶瓷通过极化电场同时调节压电性能和发光性能,可获得最高压电系数并耦合发光猝灭,在微机电、光电集成、传感器等领域具有广泛的应用前景,为研究钙钛矿材料中力‑电‑热性能耦合作用提供实验基础。
📄 2018102256627
📂 C04B35_475
👤 聊城大学
📅 2018-03-19
本发明公开了一种高电阻率、高压电活性钛酸铋钙基高温压电陶瓷及其制备方法,采用CaBi4Ti4O15体系压电材料为基础,在Ti位按照一定的摩尔比掺入Mn、Ta,采用固相合成方法,制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料,该压电陶瓷材料的通式为CaBi4Ti4‑x(Mn1/3Ta2/3)xO12,其中0
📄 2019110967771
📂 C04B35_475
👤 杭州电子科技大学
📅 2019-11-12
本发明公开了一种具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法,克服了现有技术中钛酸铋钠基储能陶瓷能量存储性能不佳的问题,制备的产品能量存储密度以及效率高、电学稳定性好。本发明的材料化学组成为(1‑x)((Bi0.5‑yLayNa0.5)0.94Ba0.06TiO3)‑xSr(Sc0.5Nb0.5)O3,其中x=0.05‑0.2,y=0.03。该陶瓷的制备工艺简单,可重复性高,对配方组分进行化学比例的计算,称量高纯的原料粉末,经球磨烘干、预烧结、造粒压片、高温烧结,制得具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷。该钛酸铋钠基电子陶瓷材料储能密度最大值为1.83J/cm3,储能效率为83%。
📄 2020100371079
📂 C04B35_475
👤 西安工业大学
📅 2020-01-14
本发明公开了一种具有高储能密度和高功率密度的钛酸铋钠钛酸锶基储能陶瓷材料及其制备方法,采用0.72Bi0.5Na0.5TiO3‑0.28SrTiO3体系铁电材料为基础,将铋层状材料铌酸铋钡(BaBi2Nb2O9)按照一定摩尔比掺入到钛酸铋钠钛酸锶基陶瓷中,采用固相合成方法,制备得到一种新型的具有高储能密度和高功率密度的储能陶瓷材料,该陶瓷材料的化学组成是(1‑x)(0.72Bi0.5Na0.5TiO3‑0.28SrTiO3)‑xBaBi2Nb2O9,其中0.01≤x≤0.04。本发明获得的储能陶瓷材料,主要性能参数可利用储能密度Wrec=3.97J/cm3,储能效率η=81%,在120kV/cm电场下,电流密度509.5A/cm2功率密度(PD)可达30.57MW/cm3。此外制备工艺稳定可靠,生产成本低,易于实现工业化生产,在储能领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件,组装成各种储能电容器,能够运用到军事(为电磁枪炮、飞机弹射系统提供电能)、民用(电动汽车逆变器等)、和科学领域(粒子加速器的驱动等)等领域。
📄 2020101775440
📂 C04B35_475
👤 杭州电子科技大学
📅 2020-03-14
本发明公开了一种具有温度稳定性的BKT基储能电介质材料及其合成方法,该材料的化学通式为(1‑x)(0.5Bi0.5K0.5TiO3‑0.5SrTiO3)‑xBi(Zn0.5Ti0.5)O3;根据所述化学通式中各元素的摩尔比称量原料;将称量好的各原料混合,并球磨至各原料充分混合,烘干球磨后的浆液,得到混合粉;将所述混合粉进行预合成并自然冷却,得到烧结料;依次对所述烧结料进行粉碎、造粒和压制,得到素坯;将所述素坯升温至500℃并保温5h进行排粘,并自然冷却;加热排粘后的素坯至1150~1180℃并保温2~3h,自然冷却后,得到所述储能电介质材料;本发明的电介质材料兼具高储能密度、高储能效率及良好温度稳定性。
📄 2020104982527
📂 C04B35_475
👤 西安工业大学
📅 2020-06-04
发明
已授权
2018115326789 · 深圳万知达科技有限公司
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2021107096537 · 济南大学
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2014106923443 · 陕西科技大学
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2015102797450 · 聊城大学
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发明
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2017110348039 · 西安工业大学
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发明
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2017113178650 · 陕西科技大学
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发明
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2017113402105 · 陕西科技大学
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发明
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2018102256627 · 聊城大学
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发明
已授权
2019110967771 · 杭州电子科技大学
¥0.0 元
发明
已授权
2020100371079 · 西安工业大学
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发明
已授权
2020101775440 · 杭州电子科技大学
¥0.0 元
发明
已授权
2020104982527 · 西安工业大学
¥0.0 元
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