本发明公开了一种含Sn中介微波介质陶瓷材料及其制备方法，该含Sn中介微波介质陶瓷材料的化学式为CoSnNb2O8以及采用该物质制得的化学通式为(1‑x)CoSnNb2O8‑xZn1.01Nb2O6的微波介质陶瓷材料，其中，x为Zn1.01Nb2O6的摩尔分数，0.40≤x≤0.60。制备方法包括以下步骤：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排粘和烧结。本发明通过特定的原料组成，并结合特定的工艺制备了一种中介、低损耗微波介质陶瓷材料，该材料烧结温度低，而且谐振频率温度系数接近零，可广泛应用于各种介质谐振器和滤波器等器件。
📄 2018104822766
📂 C04B35_495
👤 西华大学
📅 2018-05-18
本发明涉及一种共沉淀法制备纳米Sr(Fe0.5Nb0.5)O3粉体的方法，按照摩尔比为2:1:1称量Sr(NO3)2、Fe(NO3)3·9H2O、NbCl5；将Fe(NO3)3·9H2O溶于水，取草酸加入上述溶液中混合均匀；将NbCl5溶于乙醇，将NbCl5的乙醇溶液滴加入上述溶液中；再向上述溶液中滴加Sr(NO3)2的水溶液；用NH3·H2O溶液滴定至获得Sr(Fe0.5Nb0.5)O3前驱体沉淀物，洗涤后烘干，煅烧后获得纳米Sr(Fe0.5Nb0.5)O3粉体。本发明颗粒粒度可控，工艺简便，烧结温度较低，制得的粉体颗粒细。
📄 2014102888084
📂 C04B35_495
👤 陕西科技大学
📅 2014-06-24
本发明提供一种低成本制备纳米Ba(Fe0.5Ta0.5)O3粉体的方法，包括如下步骤，(1)将摩尔比为1:3的Ta2O5与K2CO3混合均匀，煅烧后将煅烧产物溶于水中，过滤不溶物得到澄清的K3TaO4溶液备用；(2)将澄清的K3TaO4溶液用硝酸滴定至pH值为1‑2，得到Ta(OH)5沉淀物，洗涤后将Ta(OH)5粉体溶解于草酸得到Ta5+前驱体溶液；(3)采用重量法标定前驱体，求得前驱体溶液中Ta5+的物质的量浓度；(4)将双氧水滴加到Ta5+前驱体溶液中，在搅拌下同时依次加入H2C2O4·2H2O粉体、Fe(NO3)3·9H2O粉体和Ba(NO3)2粉体充分混合均匀后得到混合溶液；(5)用NH3·H2O溶液调节混合溶液pH值为9.5‑10.5后得到棕褐色沉淀；(6)将棕褐色沉淀洗涤后烘干，煅烧获得纳米Ba(Fe0.5Ta0.5)O3粉体。
📄 201610344870X
📂 C04B35_495
👤 陕西科技大学
📅 2016-05-23
本发明公开了一种高透明性和高居里温度的铌酸钾钠基透明铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为0.95K0.5Na0.5NbO3‑0.05Ca(ZrxZnyNbz)1.025O3，式中x、y、z依次表示0.05Ca(ZrxZnyNbz)1.025O3中ZrO2、ZnO、Nb2O5的摩尔数，并且x＝0.08～0.40、x+y+z＝1.00、z/y＝1.95，其通过高温固相法制备而成。本发明陶瓷材料透明性好、介电常数大、居里温度高，其中透过率为64％～82％(近红外区)、介电常数为1480～1787、居里温度为303～314℃，且在温度为30～400℃范围内，介电常数随温度变化小，具有优异的温度稳定性，同时具有铁电性能，其剩余极化强度为1.3～3.1μC/cm2、矫顽场为7.9～14.4kV/cm。
📄 201611241405X
📂 C04B35_495
👤 陕西师范大学
📅 2016-12-29
本发明公开了一种高透明铌酸钾钠基压电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xCa(Zn1/3Nb2/3)O3，式中x表示Ca(Zn1/3Nb2/3)O3的摩尔百分比，x的取值为0.03～0.10，该陶瓷材料通过配料、预烧、球磨、造粒、压片、无压密闭烧结、抛光及烧银等工艺步骤制备而成。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高，所得陶瓷材料透明性高且具有较好的电性能，在x的取值为0.07和0.08时，透过率为70％～83％(近红外区)、压电常数为66～72pC/N、介电常数为1100～1162、居里温度为170～184℃。
📄 2016112414280
📂 C04B35_495
👤 陕西师范大学
📅 2016-12-29
一种微波助燃法一步合成钼酸镧基电解质材料的方法，涉及钼酸镧基电解质材料制备技术领域。钼酸镧基电解质材料的化学式为La2‑xAxMo2‑yByO9‑δ，以硝酸镧、A/B对应元素的盐、钼酸铵和络合剂为反应原料，加热蒸发形成溶胶，通过喷雾机喷雾形成纳米级前驱体，再将其置于微波炉中微波加热燃烧制得纳米粉体，最后压片、烧结制得。本发明将微波法与自燃烧法相结合，微波加热助燃时波辐射能量使反应体系内部受热均匀迅速，可快速全面激发燃烧反应。前驱体均匀快速产生燃烧反应，温度高可以一步合成粉体，单位时间的产率高，避免普通方法后期的高温煅烧过程。
📄 2017103471113
📂 C04B35_495
👤 合肥学院
📅 2017-05-17
本发明公开了一种高透明性和发光热稳定性的Sm3+掺杂钨青铜发光铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的结构通式为Sr1.90Ca0.15Na0.90-3xSmxNb5O15，其中x的取值为0.005～0.015，采用传统高温固相法制备而成，制备方法简单、成本低廉，便于规模化生产。本发明通过在陶瓷材料中掺杂Sm3+，显著提高了其透光率，在可见光区的透光率可达到51％，其介电、铁电性能也有所提高，当x＝0.10时，其最大介电常数为1759、居里温度为289℃、室温介电常数达到2096。而且本发明陶瓷材料在蓝紫外光λ＝406nm激发下发射出很强的橙红光，发光热稳定性很好，在150℃时仍有80％。
📄 2017105771733
📂 C04B35_495
👤 陕西师范大学
📅 2017-07-14
本发明提供一种钨青铜型单相多铁性陶瓷材料及其制备方法，包括如下步骤：1.纯相的陶瓷粉体制备，将所有称量的粉体混合均匀形成全配料；将全配料依次进行球磨、烘干和过筛，形成过筛后的出料为纯相的陶瓷粉体；2.将纯相的陶瓷粉体通过冷等静压压块制成试样，并将制好的试样进行烧结得到烧结试样；3.依次打磨和清洗烧结试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆电极浆料，将涂覆电极的试样进行烧结得到与纯相的陶瓷粉体对应的钨青铜型单相多铁性陶瓷材料。本发明能够增强钨青铜型单相陶瓷的铁电性和铁磁性。本发明制备的钨青铜型陶瓷材料，可以提高陶瓷的纯度，改善陶瓷的晶粒形貌，使得陶瓷的多铁性能得到极大地改善。
📄 2017114794382
📂 C04B35_495
👤 陕西科技大学
📅 2017-12-29
本发明涉及一种铌酸钾钠基陶瓷材料及其制备方法，所述铌酸钾钠基陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(Na0.52K0.48)NbO3‑x(Ba0.99Ca0.01)(Ti0.98Zr0.02)O3，其中x＝0.5～2%。本发明的铌酸钾钠基陶瓷材料采用工业原料获得，组分简单，具有高压电性能、优异抗潮解特性和高居里温度，长期工作在高温高湿等恶劣的环境下，可靠性高，所述陶瓷材料经一步烧结制成，制备工艺简单且周期短，陶瓷材料的压电常数d33值可达185pC/N，机电耦合系数可达44%，居里温度高达391°C。
📄 201810312093X
📂 C04B35_495
👤 聊城大学
📅 2018-04-09
本发明公开了一种温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料由NiO、ZrO2和Ta2O5按摩尔比为1:1-1.2:1组成。制备方法包括：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排粘和烧结。本发明通过特定的原料组成，没有在高温下优先合成纯相，在后期也不需要再添加改性材料来调节温度系数，而是通过逐渐改变温度来调节中间相的相对含量，以此达到在较低温度下即可调节温度系数的目的。通过本发明方法制得的微波介电陶瓷材料具有良好的微波介电性能，可作为各种微波元器件的关键材料使用。
📄 2018113580304
📂 C04B35_495
👤 西华大学
📅 2018-11-15
本发明公开了一种Nb位Cr/Mo共掺杂铌酸铋钙高温压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的通式为CaBi2Nb2‑x(Mo2/3Cr1/3)xO9，其中0.03≤x≤0.075。本发明还公开了该压电陶瓷材料的制备方法，采用CaBi2Nb2O9体系压电材料为基础，在Nb位按照1:2的摩尔比掺入一定比例的Cr、Mo，采用传统的固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料。与现有技术相比，本发明获得的压电陶瓷材料，主要性能参数d33＝15pC/N，TC＝939℃，在600℃时，ρ＝3.3×105Ω·cm，此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，在高温领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，能够运用在航天航空、石油化工等特殊高温环境下。
📄 2019100730115
📂 C04B35_495
👤 杭州电子科技大学
📅 2019-01-25
本发明涉及一种提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能的方法。现有铁电薄膜介电和热释电性能不高，通过A/B位掺杂改性的方式提高弛豫铁电薄膜介电和热释电性能。本发明依次包括下述步骤：一、制备PMN‑PT前驱体溶液：二、利用稀土元素制备均匀掺杂稀土元素的PMN‑PT前驱体溶液；三、将掺杂稀土元素PMN‑PT前驱体溶液在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上旋涂均匀，薄膜退火结晶得到掺杂稀土元素PMN‑PT薄膜。本发明通过稀土元素掺杂，显著提高驰豫铁电PMN‑PT薄膜介电和热释电性能。
📄 2019109394923
📂 C04B35_497
👤 西安工业大学
📅 2019-09-30
柿子坊 · 知识产权运营
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