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本发明公开了一种碳化硅晶须原位复合刚玉高温陶瓷材料及其制备方法，属于高温陶瓷材料技术领域。本发明中碳化硅晶须原位复合刚玉高温陶瓷材料由复合原料和结合剂制成，所述复合原料由以下重量百分比的原料组成：刚玉粉82％～91.5％、碳化稻壳粉7％～15％、催化剂0.5％～2％、二氧化硅微粉或硅粉0.2％～1％；所述结合剂的质量为所述复合原料总质量的3％～5％。本发明所用原料价格低、来源广，制备工艺简单；所得制品具有抗热震性好、高温强度大、体积稳定性佳等优点，适合推广应用。

本发明属于非氧化物陶瓷基复合材料技术领域，公开了一种晶须增韧高熵碳化物陶瓷及其制备方法和应用。该方法是将高熵碳化物(Ti0.2Zr0.2Nb0.2Ta0.2Mo0.2)C粉体和碳化硅晶须混合后加入Co，制得(Ti0.2Zr0.2Nb0.2Ta0.2Mo0.2)C‑SiCw‑Co混合粉体，压成坯体后在1450～1650℃，压力为30～40MPa，采用放电等离子烧结或热压烧结工艺，制得晶须增韧高熵碳化物复相陶瓷，该复相陶瓷具有更高的断裂韧性和更低的致密化温度；其相对密度大于96％，维氏硬度为22～25GPa，断裂韧性为5～7MPa·m1/2，可应用在制备切削难加工材料或航空航天耐磨零部件中。

一种碳化硅晶须-氧化铝亚微米颗粒多尺度改性ZrC-SiC复相陶瓷粉体的制备方法，将碳源溶液、硅溶胶、八水氯氧化锆、硫酸铝均匀混合并用矿化剂进行调控使其实现溶胶向凝胶转变，将凝胶置于低温环境下进行干燥以实现多孔化，干燥后在800℃～1000℃下进行碳化，最后在1400℃～1600℃下热处理即可。本发明具有工艺简单，制备周期短，成本低等优点且该方法具有产物产量高、结构明显等优点。本发明制备的制备SiCNW-SiC-ZrC-Al2O3复相陶瓷粉体有利于实现对基体的全温域的保护作用，同时所制备的复合材料中SiC纳米晶须提高了材料的强度，增强了材料的抗高温性能。

本发明公开了一种晶须增强陶瓷材料及其制备方法，该晶须增强陶瓷材料，由包含以下重量份的组分制成：BaO60?63份、SiO220?25份、凹凸棒土15?18份、BaCO312?15份、ZnO8?10份、聚乙二醇5?8份、SiC4?6份和甘油硬脂酸脂2?3份。本发明还提供了一种晶须增强陶瓷材料的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）称取BaO60?63份、SiO220?25份、凹凸棒土15?18份、BaCO312?15份和ZnO8?10份，混合均匀后，干燥，过分样筛；（2）将步骤1的产物，加入聚乙二醇5?8份、SiC4?6份和甘油硬脂酸脂2?3份，在250?320℃下粉碎细磨，在8?12Mpa下压制成生坯，并以5℃/min的升温速率加热至700℃，再按10℃/min的升温速率加热至1050?1100℃，保温2?4小时，冷却，得到晶须增强陶瓷材料。

本发明公开了一种耐腐蚀韧度佳的特种陶瓷喷嘴，其特征在于，由下列重量份的原料制成：油页岩渣3-5、锗石1-3、磁波石2-4、球土1-2、污水处理污泥6-8、钢渣4-6、二氧化钛晶须65-75、亚硫酸钠1.1-1.4、碳酸钠0.4-0.7、山梨酸钾0.6-0.8、氧化石墨烯2.1-2.6、玻璃鳞片0.6-0.9、壬基酚聚氧乙烯醚6-8、三乙醇胺4-6、助剂3-5、适量水；本发明原料来源广，成本低，操作简便，利用本发明制得的陶瓷喷嘴具有耐温、耐腐、耐磨、韧性大等优点。

本发明公开了一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法,上述晶须增强压电陶瓷材料，由包含以下重量份的组分制成：氮化硅55‑60份、聚乙烯醇10‑15份、二氧化锆10‑12份、锂霞石5‑8份、碳化硅晶须4‑7份、聚碳硅烷3‑6份、聚铝硅氧烷2‑4份、氧化铜2‑3份、钛酸四丁脂1‑3份、二硫化钼1‑2份、过硫酸铵0.5‑1份和氧化铕0.02‑0.5份。本发明还提供了一种晶须增强压电陶瓷材料的制备方法。