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具有非公度调制结构的Ti掺杂铌酸锶钡钆铁电陶瓷材料及制备方法

📄 申请号：CN202310380072.2 📄 发布日：2026/03/13

著录项目信息

申请日

2023-04-11

公开号

CN116425536A

公开日

2023-07-14

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_495

IPC 分类号

C04B35_495 , C04B35_622 , C04B35_50 ,

技术画像

所属领域

铁电陶瓷材料铁电陶瓷材料陶瓷材料掺杂改性功能陶瓷

应用场景

电子元器件, 储能电容器, 传感器, 压电器件, 高频通信器件

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摘要

本发明公开了具有非公度调制结构的Ti掺杂铌酸锶钡钆铁电陶瓷材料，其结构式为Sr0.485Ba0.47Gd0.03Nb2‑xTixO6‑δ，x的取值为0.01～0.2。其制备方法为：将BaCO3、SrCO3、Gd2O3、Nb2O5、TiO2混合球磨，干燥，预烧，得到预烧粉；将预烧粉进行造粒、冷等静压下保持压片，排胶，掩埋置于气体气氛下烧结，即可。通过在Sr0.485Ba0.47Gd0.03Nb2O6体系中掺入变价Ti，使陶瓷材料具有室温非公度调制结构，优异的介电性能，细长的电滞回线，获得了良好的室温储能性能和优异的温度稳定特性，在同一电介质材料中实现了宽温域高储能特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

自适应抗扰控制的高速永磁同步电机转矩纹波抑制方法

当前第 / 件

Gd-Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料及制备方法

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