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一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管

Name: 一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管
SKU: 2021104094101
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110409410.1 📄 发布日：2026/07/20

著录项目信息

申请日

2021-04-16

公开号

CN113130667B

公开日

2022-04-29

申请人

重庆理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_872

IPC 分类号

H01L29_872 , H01L29_51 , H01L29_49 , H01L29_423 , H01L21_34 ,

技术画像

所属领域

宽禁带半导体宽禁带半导体功率半导体器件肖特基二极管

应用场景

电力电子, 新能源发电, 电动汽车充电, 高频电源, 工业电源

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摘要

本发明公开了一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管，包括位于底部的阴极电极，位于所述阴极电极上部的衬底，位于所述衬底上部的漂移层，其特征在于：在所述漂移层的背离衬底面设置有沟槽，所述沟槽具有底壁和侧壁，所述底壁与侧壁的转角处设置圆角；在所述沟槽表面覆盖有随形的Al2O3介电层，在所述介电层表面覆盖有随形的低功函数接触层，在所述漂移层的背离衬底的面上设置有高功函数肖特基接触；其中，所述衬底材料为Si重掺杂的Ga2O3，所述漂移层材料为Si轻掺杂的Ga2O3。采用本发明的Ga2O3肖特基势垒二极管，能够获得3.4kV高击穿电压，低至5.4mΩ.cm2导通电阻和小于1pA/cm2极低泄漏电流的器件。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220429

✅ 授权

20210803

?? 实质审查的生效：

20210716

📄 公开

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