实用新型已授权

一种双面散热半导体IGBT管

Name: 一种双面散热半导体IGBT管
Brand: 德兴市意发功率半导体有限公司
SKU: 2021202142873
Availability: InStock

📄 申请号：CN202120214287.3 📄 发布日：2026/06/05

著录项目信息

申请日

2021-01-26

公开号

CN214313602U

公开日

2021-09-28

申请人

德兴市意发功率半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01R13_02

IPC 分类号

H01R13_02 , H01R13_502 , H01R13_40 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件 IGBT 半导体封装

应用场景

新能源汽车, 工业自动化, 光伏逆变器, 储能系统, 轨道交通

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摘要

本实用新型公开一种双面散热半导体IGBT管，包括集电插针A、集电插针B、集电插针C和IGBT管主体，所述IGBT管主体的下端安装有集电插针A、集电插针B和集电插针C，所述集电插针A位于集电插针B的左侧，通过在该半导体IGBT管的三个集电插针顶端外部增加有一个新型的插针加固装置，该新型的插针加固装置在不影响到整个半导体IGBT管正常安装操作的基础上又能够对三个集电插针起到加固与防折断作用，三个集电插针顶端通过该新型的插针加固装置进行加固之后既不会影响到集电插针的正常弯折，又能够对集电插针的固定端起到加固作用，从而能够在安装该半导体IGBT管时可根据安装需求及时进行调整，且又不会损伤到整个半导体IGBT管。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN214313602U

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于N型注入层的IGBT芯片

当前第 / 件

一种Si衬底-GAM外延的IGBT半导体器件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：101 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 已报项目

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📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

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