发明专利 已授权

一种人工突触晶体管阵列及其调控方法和应用

📄 申请号:CN202110461811.1 📄 发布日:2025/12/10

著录项目信息

申请日
2021-04-27
公开号
CN113241387B
公开日
2023-07-28
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

神经形态计算, 人工智能芯片, 类脑计算, 智能感知系统, 边缘计算

摘要

本发明公开了一种人工突触晶体管阵列,由下到上依次设置有衬底层、沟道层和电极层。本发明的人工突触晶体管阵列通过在所述衬底层上依次设置所述沟道层和所述电极层,并利用所述衬底层的硅作为背栅结构,利用将所述沟道层的材料为大面积均匀的多层二硫化钼,使晶体管可以实现阵列化且可以工作在可见光和近红外光波段,且二硫化钼富含缺陷态,可以增强载流子的束缚,实现强突触可塑性、高敏感性和低功耗。因此使得人工突触晶体管集传感‑存储‑预处理功能为一体,从而可以实现对人眼感知和人脑存储的模拟。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:164 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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