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本发明公开了一种基于层状多元金属氧化物的人造突触及其制备方法，所述人造突触以铝箔作为底电极，以层状多元金属氧化物Na0.66Mg0.28Mn0.72O2作为功能层，以果胶复合膜作为固态电解质，以Au作为顶电极。本发明公开的人造突触结构简单，制备方法简单易行，使用绿色无毒的果胶复合膜作为固态电解质，具有良好的生物兼容性的同时兼具绝对的短程可塑性和高的突触可塑性，电流响应度高，电流重置速度快。在用于人造突触的固态电解质的果胶复合膜中掺杂NaCl，能进一步提高电流响应度，加快电流重置速度。本发明在人工智能、大数据处理、模式识别、神经工程和脑机接口等领域都具有广阔的应用前景。

本发明公开了一种锰氧化物电磁调控构建多场耦合人工突触的方法，包括以下步骤：(1)依次将金属、阻变层和钙钛矿锰氧化物沉积于衬底上，形成模拟突触功能的元器件；(2)金属作底电极，钙钛矿锰氧化物生长的圆柱型阵列作顶电极，或者在钙钛矿锰氧化物薄膜上生长一层金属作顶电极；(3)对元器件施加外场，对钙钛矿锰氧化物薄膜的氧离子的迁移和分布进行调控。该方法利用具有优异电磁特性的忆阻异质结，在电致电阻效应的基础上，对阻变单元阵列加以外场调控，获得多场诱导的多重电阻态，再通过外场调控阻变单元中氧离子的迁移，模拟突触的强度分布和可塑性，构建人工突触。

本发明公开了一种人工突触晶体管阵列，由下到上依次设置有衬底层、沟道层和电极层。本发明的人工突触晶体管阵列通过在所述衬底层上依次设置所述沟道层和所述电极层，并利用所述衬底层的硅作为背栅结构，利用将所述沟道层的材料为大面积均匀的多层二硫化钼，使晶体管可以实现阵列化且可以工作在可见光和近红外光波段，且二硫化钼富含缺陷态，可以增强载流子的束缚，实现强突触可塑性、高敏感性和低功耗。因此使得人工突触晶体管集传感‑存储‑预处理功能为一体，从而可以实现对人眼感知和人脑存储的模拟。