发明专利已授权

高di/dt光控晶闸管版图设计方法

📄 申请号：CN201810330128.2 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2018-04-13

公开号

CN108493291B

公开日

2020-03-31

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_111

IPC 分类号

H01L31_111 , G06F30_392 ,

技术画像

所属领域

光控晶闸管光控晶闸管版图设计功率半导体器件

应用场景

高压直流输电, 柔性直流输电, 电网无功补偿, 大功率变流器, 智能电网

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摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种高di/dt光控晶闸管版图设计方法。本发明主要包括：将阴极金属电极和光栅窗口按并行交替排列的方式设置于版图中心，该交替排列区域的左右两侧均为光栅窗口；采用边缘阴极电极将阴极金属电极和光栅窗口包围，边缘阴极电极作为阴极金属电极打线处；在边缘阴极电极外围与芯片边缘之间环绕多层结终端区。本发明的有益效果为，提供了具有高峰值电流能力和高电流增长能力的LTT器件栅阴极交叉的版图规划，解决了传统的LTT器件不能很好适应于脉冲功率应用领域的问题；同时具有传统器件相同的制作工艺。它基本可以完全利用现有成熟的商用LTT制作工艺，为商用生产提供了有利条件。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种逆阻型氮化镓器件

当前第 / 件

一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_111)

H01L31_02 H01L31_0203 H01L31_0216 H01L31_0224 H01L31_0232 H01L31_0236 H01L31_0264 H01L31_0304 H01L31_032 H01L31_0336 H01L31_0352 H01L31_0392 H01L31_04 H01L31_042 H01L31_043 H01L31_0445 H01L31_048 H01L31_049 H01L31_05 H01L31_052 H01L31_054 H01L31_055 H01L31_056 H01L31_068 H01L31_07 H01L31_072 H01L31_0725 H01L31_078 H01L31_08 H01L31_09 H01L31_101 H01L31_102 H01L31_103 H01L31_105 H01L31_107 H01L31_108 H01L31_109 H01L31_111 H01L31_112 H01L31_113 H01L31_115 H01L31_18 H01L31_20 覆盖43个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：127 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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