发明专利已授权

高di/dt光控晶闸管版图设计方法

Name: 高di/dt光控晶闸管版图设计方法
Brand: 电子科技大学
SKU: 2018103301282
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810330128.2 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2018-04-13

公开号

CN108493291B

公开日

2020-03-31

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_111

IPC 分类号

H01L31_111 , G06F30_392 ,

技术画像

所属领域

光控晶闸管光控晶闸管版图设计功率半导体器件

应用场景

高压直流输电, 柔性直流输电, 电网无功补偿, 大功率变流器, 智能电网

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摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种高di/dt光控晶闸管版图设计方法。本发明主要包括：将阴极金属电极和光栅窗口按并行交替排列的方式设置于版图中心，该交替排列区域的左右两侧均为光栅窗口；采用边缘阴极电极将阴极金属电极和光栅窗口包围，边缘阴极电极作为阴极金属电极打线处；在边缘阴极电极外围与芯片边缘之间环绕多层结终端区。本发明的有益效果为，提供了具有高峰值电流能力和高电流增长能力的LTT器件栅阴极交叉的版图规划，解决了传统的LTT器件不能很好适应于脉冲功率应用领域的问题；同时具有传统器件相同的制作工艺。它基本可以完全利用现有成熟的商用LTT制作工艺，为商用生产提供了有利条件。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN108493291B

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种逆阻型氮化镓器件

当前第 / 件

一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：158 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

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