发明专利已授权

一种逆阻型氮化镓器件

📄 申请号：CN201711119005.6 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2017-11-14

公开号

CN107910364A

公开日

2018-04-13

申请人

电子科技大学; 电子科技大学广东电子信息工程研究院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_40

IPC 分类号

H01L29_40 , H01L29_417 , H01L29_423 , H01L29_47 , H01L29_778 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件氮化镓器件半导体器件

应用场景

电力电子, 功率转换, 新能源汽车, 工业控制, 高压高频电源

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摘要

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明提供了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。通过绝缘栅控制栅极下方沟道二维电子气的耗尽实现器件的开启和关断，以及基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触，并通过高功函数金属形成肖特基漏极来实现器件的反向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容，同时可以在较低的温度条件制备该器件。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200731

✅ 授权

20180508

?? 实质审查的生效：

20180413

📄 公开

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