发明专利已授权

一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管

📄 申请号：CN201810563462.2 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2018-06-04

公开号

CN108767007A

公开日

2018-11-06

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_74

IPC 分类号

H01L29_74

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件光控晶闸管半导体器件结构

应用场景

高压直流输电, 智能电网, 电力电子变换, 大功率电力驱动, 新能源并网

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摘要

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有挖槽埋氧电流阻挡层的光控晶闸管。本发明主要通过改变电流流通路径，使电流绕过阴极左侧电流集中区，以此缓解器件内部的电流集中区、使电流分布更加均匀，进而提升器件的电流上升率耐量。本发明的有益效果为，提供了一种挖槽埋氧阻挡层的光控晶闸管器件设计，解决了常规光控晶闸管器件因主阴极左侧电流集中而引起的失效、不能适用于脉冲功率应用领域的问题，同时具有常规器件相同的制作工艺。它基本可以完全利用现有成熟的商用功率半导体器件制作工艺，为生产提供了有利条件。本发明尤其适用于大脉冲功率应用具有高峰值电流能力和高电流增长能力的光控晶闸管。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210122

✅ 授权

20181130

?? 实质审查的生效：

高di/dt光控晶闸管版图设计方法

当前第 / 件

一种具有深N+空穴电流阻挡层的光控晶闸管

同领域国内专利 · IPC: (H01L29_74)

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