发明专利已授权

一种具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管

📄 申请号：CN201810246811.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-03-23

公开号

CN108493243B

公开日

2021-04-06

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_74

IPC 分类号

H01L29_74 , H01L29_16 , H01L21_332 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件碳化硅半导体晶闸管技术

应用场景

高压直流输电, 电网稳定控制, 新能源并网, 轨道交通, 工业电力电子

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摘要

本发明具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，包括SiC衬底，在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层，其中第四外延层杂质浓度在垂直方向存在由上至下降低的分布趋势，第五外延层分为尺寸相同的多个凸台，每个凸台的侧壁为平面；还包括绝缘介质薄膜，绝缘介质薄膜覆盖在第五外延层的各个凸台侧壁、各个凸台之间的第四外延层的上表面，位于各个凸台之间的绝缘介质薄膜的高度低于凸台的上端面；在第五外延层的各个凸台上端面覆盖有阳极；在SiC衬底下端面覆盖有阴极。本发明的结构，独特新颖，可使SiC LTT的开通特性得到更好的改善。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210406

✅ 授权

20180928

?? 实质审查的生效：

20180904

📄 公开

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