发明专利已授权

一种高介高正温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法

📄 申请号：CN202310598918.X 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2023-05-25

公开号

CN116606141B

公开日

2024-10-15

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_495

IPC 分类号

C04B35_495 , C04B35_622 ,

技术画像

所属领域

介质陶瓷材料微波介质陶瓷电子陶瓷陶瓷材料介质陶瓷材料

应用场景

微波通信, 介质谐振器, 滤波器, 天线, 电子元器件

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摘要

本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种高介高正温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明高介高正温度系数微波介质陶瓷材料的原料组成为Na2CO3、K2CO3和Ta2O5，通过固相法制得，化学式为Na1‑xKxTaO3(x＝0.025‑0.15)；具有127‑176的高介电常数，损耗低至3.46×10‑4，730‑920ppm/℃的超高正向温度系数。本发明从原料引入K+离子，通过调节x的值来改变K+离子取代量，在保证低损耗的同时，得到了高介高正温度系数的微波介质陶瓷材料；尤其适用于频率温度系数补偿材料，与负频率温度系数材料复合以获得τf近零的材料，且制备方法简单，易于工业化生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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