本发明公开了一种连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。连续相演变微波介质陶瓷材料，其特征在于：化学通式为(1‑x)Li3MgAO5‑xLi2BO3，其中，A为Nb5+、Ta5+或Sb5+五价离子中的一种或两种的混合，B为Ti4+、Sn4+或Zr4+四价离子中的一种或两种的混合；x取值范围为0.7≤x≤0.9。微波介质陶瓷材料的晶相随着x取值的增大，从立方岩盐相向单斜岩盐相连续演变。采用本发明所述的连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，能够解决现有的微波介质陶瓷材料品质因数低、介电常数宽范围调节差的问题。
📄 2025114849708
📂 C04B35_462
👤 成都信息工程大学
📅 2025-10-17
本发明涉及电子信息功能材料技术领域，尤其涉及一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法，化学式为(Y0.2B0.2C0.2D0.2E0.2)2BaZn1‑xMgxO5，其中，B、C、D、E选自La系稀有元素中的一种，0＜x＜0.1，发明还提供一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料的制备方法，包括配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、长时煅烧并退火。本发明制得的材料具有高熵化的纯相正交晶体结构，微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹，具有高品质因数和小的谐振频率温度系数，介电常数在14~18之间，高Q×f值在30,000到70,000 GHz之间，τf值在‑30~‑8 ppm/°C之间可调。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，适用于高频化微波通信系统。
📄 2024104205697
📂 C04B35_50
👤 成都信息工程大学
📅 2024-04-09
本发明公开了一种含Sn中介微波介质陶瓷材料及其制备方法，该含Sn中介微波介质陶瓷材料的化学式为CoSnNb2O8以及采用该物质制得的化学通式为(1‑x)CoSnNb2O8‑xZn1.01Nb2O6的微波介质陶瓷材料，其中，x为Zn1.01Nb2O6的摩尔分数，0.40≤x≤0.60。制备方法包括以下步骤：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排粘和烧结。本发明通过特定的原料组成，并结合特定的工艺制备了一种中介、低损耗微波介质陶瓷材料，该材料烧结温度低，而且谐振频率温度系数接近零，可广泛应用于各种介质谐振器和滤波器等器件。
📄 2018104822766
📂 C04B35_495
👤 西华大学
📅 2018-05-18
本发明公开了一种正温度系数硅酸盐微波介质陶瓷材料及制备方法，原料成分为BaCO3、SiO2、Y2O3，所述原料成分以Ba9Y2Si6O24(BYS)化学计量比进行配比，本发明采用传统的高温固相反应法，制备方法简单，生产成本较低，通过设定不同的烧结温度，能够得到一种微波性能良好的低介电常数的微波介质陶瓷材料。
📄 2016100996647
📂 C04B35_01
👤 杭州电子科技大学
📅 2016-02-24
本发明公开了一种温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料由NiO、ZrO2和Ta2O5按摩尔比为1:1-1.2:1组成。制备方法包括：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排粘和烧结。本发明通过特定的原料组成，没有在高温下优先合成纯相，在后期也不需要再添加改性材料来调节温度系数，而是通过逐渐改变温度来调节中间相的相对含量，以此达到在较低温度下即可调节温度系数的目的。通过本发明方法制得的微波介电陶瓷材料具有良好的微波介电性能，可作为各种微波元器件的关键材料使用。
📄 2018113580304
📂 C04B35_495
👤 西华大学
📅 2018-11-15
本发明提供了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，涉及无线移动通讯与射频电子电路系统用电子陶瓷元器件与材料技术领域。该微波介质陶瓷材料为一种掺杂有Zn2+和Ni2+的磷酸镁锂晶体结构材料。该材料有着优良微波介电性能：微波介质陶瓷材料的该体系陶瓷在烧结温度范围在850℃‑950℃，相对介电常数(εr)范围：6.88～7.13，品质因数(Q×f值)范围：78900GHz～153500GHz,谐振频率温度系数(τf)范围：‑59.51ppm/℃～‑53.25ppm/℃。该体系复合陶瓷材料可以作为5G/6G等射频与高频无线通讯电子电路系统作为谐振器、滤波器、微带线、天线基板等电子元器件材料，起到信号与能量变换、传输与隔离作用。
📄 2021106694196
📂 C04B35_447
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-06-16
本发明公开了一种两相复合微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，属于功能陶瓷及其制备技术领域。本发明提供的两相复合微波介质陶瓷材料，化学组成为(1‑x)Ba3(VO4)2‑xMg2B2O5，其中，0.5≤x≤0.7。本发明根据合适比例的配方选取合适的初始氧化物，通过研磨处理使得各种氧化物混合均匀，通过预烧结使得氧化物进行初步反应，制备得到Ba3(VO4)2预烧料和Mg2B2O5预烧料，然后将Ba3(VO4)2和Mg2B2O5按一定比例混合，再次研磨处理，并细化颗粒尺寸，最后通过烧结过程制备目标陶瓷样品。该方法简单易行且有效，适宜于大规模的产业化，得到的陶瓷样品的介电常数随成分在10.0～11.6之间可调，品质因数Q×f值分布在48,050GHz～62,600GHz，谐振频率温度系数在‑3ppm/℃～+43.6ppm/℃之间，随组分变化连续可调，烧结温度为900℃～1100℃。
📄 2022103015450
📂 C04B35_495
👤 西安工业大学
📅 2022-03-25
本发明提供一种微波介质陶瓷材料、复合材料及其制备方法、用途，所述微波介质陶瓷材料的化学式为Mg1.8Ni0.2‑xCoxAl4Si5O18，其中0.05≤x≤0.15。本发明的微波介质陶瓷材料为一种Ni2+和Co2+共掺杂的堇青石型晶体结构材料，其中Ni2+和Co2+协同置换占据所述镁堇青石晶格中的部分Mg2+晶格位置，由此使得微波介质陶瓷材料具有较好的微波性能。本发明的复合材料具有好的微波性能，改善了现有的各类堇青石陶瓷材料温度稳定性差的缺陷及品质因数，降低了烧结温度，并使其温度系数近零；该复合材料具有温度稳定高Qf值，有望在5G/6G移动通讯与射频电子电路系统中做电子元器件作为的功能介质使用。
📄 2022107769226
📂 C04B35_10
👤 杭州电子科技大学
📅 2022-07-04
本发明公开了一种镁铝尖晶石微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料的物相晶体结构为尖晶石型结构，化学式为MgAl2‑x(Zn0.5Mn0.5)xO4，其中，0
📄 2022108549204
📂 C04B35_443
👤 杭州电子科技大学
📅 2022-07-19
本发明提供了一种高熵化微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及通信领域的电子元件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为：(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3。其介电常数为6.5～6.9，介电损耗为0.0001～0.0004@10GHz，谐振频率温度系数为‑40～‑24.5ppm/℃，可应用于5G/6G通信领域。其制备方法主要包括：称量、一次球磨、一次预烧、二次球磨、二次预烧、三次球磨、烘干、造粒、过筛、压片和烧结。本发明通过引入高熵设计理念，提出了化学式为(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3的配方，抑制了MgSiO3陶瓷中的晶型转变，获得了稳定的陶瓷，降低了致密化烧结温度，获得了低介电常数和低介电损耗的优异微波介电性能，具有重要的工业应用价值。
📄 2022113327177
📂 C04B35_16
👤 杭州电子科技大学
📅 2022-10-28
本发明属于无线通讯与电子陶瓷材料技术领域，涉及一种具有低热膨胀系数且谐振频率温度系数可调的低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。所述具有低热膨胀系数且谐振频率温度系数可调的低介电常数微波介质陶瓷材料，化学式为ZrSiO4·xTiO2，其中0wt％
📄 2024102047010
📂 C04B35_48
👤 杭州电子科技大学
📅 2024-02-25
本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法，主要用于通讯系统的介质滤波器。本发明材料为BaWO4基微波介质陶瓷材料，烧结温度850℃～900℃，介电常数5.8～9.0，损耗低至3.70×10-4，频率温度系数-30～-10ppm/℃；其化学通式为BaWO4-xM2CO3-yBaO-zB2O3-wSiO2，其中M为Li+、K+或Na+碱金属离子，且x、y、z、w不能同时为零。当y＝0时，在850℃～900℃下烧结后均为BaWO4相；当y不等于0时，主晶相为BaWO4相，次晶相为BaSi2O5相。制备时，直接将原料按照所需化学式配料，通过固相烧结法制得；最终获得烧结温度低至850℃，保温时间0.5～2h，介电性能5.8～9.0满足高频介质滤波器的BaWO4基的LTCC微波介质陶瓷材料，可应用在LTCC领域。
📄 2019106032263
📂 C04B35_495
👤 电子科技大学
📅 2019-07-05
发明
已授权
2025114849708 · 成都信息工程大学
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发明
已授权
2024104205697 · 成都信息工程大学
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发明
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2018104822766 · 西华大学
¥0.0 元
发明
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2016100996647 · 杭州电子科技大学
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发明
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2018113580304 · 西华大学
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发明
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2021106694196 · 杭州电子科技大学
¥0.0 元
发明
已授权
2022103015450 · 西安工业大学
¥0.0 元
发明
已授权
2022107769226 · 杭州电子科技大学
¥0.0 元
发明
已授权
2022108549204 · 杭州电子科技大学
¥0.0 元
发明
已授权
2022113327177 · 杭州电子科技大学
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发明
已授权
2024102047010 · 杭州电子科技大学
¥0.0 元
发明
已授权
2019106032263 · 电子科技大学
¥0.0 元
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预算：¥50-100万截止：2026-08-30发布方：××新能源科技响应：8人
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