发明专利已授权

垂直型锗硅光电探测器及其制备方法

📄 申请号：CN202311512098.4 📄 发布日：2026/07/08

著录项目信息

申请日

2023-11-14

公开号

CN117239002B

公开日

2024-01-26

申请人

无锡芯光互连技术研究院有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_109

IPC 分类号

H01L31_109 , H01L31_0232 , H01L31_0352 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

半导体光电器件半导体光电器件锗硅材料硅基光电子

应用场景

光通信, 数据中心, 光互连, 光电传感, 硅光模块

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明涉及光电探测器技术领域，具体公开了一种垂直型锗硅光电探测器及其制备方法，包括：硅衬底，以及依次形成在硅衬底上的氧化层、波导层、锗层和电极层；所述波导层包括轻掺杂区域和位于轻掺杂区域两侧的重掺杂区域，所述锗层形成在所述波导层的轻掺杂区域上，所述重掺杂区域的离子掺杂浓度大于所述轻掺杂区域的离子掺杂浓度；刻蚀结构，形成在所述波导层的轻掺杂区域；所述刻蚀结构的厚度等于所述波导层的厚度，且所述刻蚀结构的等效长度小于锗层的长度。本发明提供的垂直型锗硅光电探测器能够有效提升探测器的带宽。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法

当前第 / 件

3D硅基光端面耦合器及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_109)

H01L31_02 H01L31_0203 H01L31_0216 H01L31_0224 H01L31_0232 H01L31_0236 H01L31_0264 H01L31_0304 H01L31_032 H01L31_0336 H01L31_0352 H01L31_0392 H01L31_04 H01L31_042 H01L31_043 H01L31_0445 H01L31_048 H01L31_049 H01L31_05 H01L31_052 H01L31_054 H01L31_055 H01L31_056 H01L31_068 H01L31_07 H01L31_072 H01L31_0725 H01L31_078 H01L31_08 H01L31_09 H01L31_101 H01L31_102 H01L31_103 H01L31_105 H01L31_107 H01L31_108 H01L31_109 H01L31_111 H01L31_112 H01L31_113 H01L31_115 H01L31_18 H01L31_20 覆盖43个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：30 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

垂直型锗硅光电探测器及其制备方法

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01L31_109)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

雪崩光电二极管及其模组的感性冲击雪崩耐受测试方法

一种用于癌细胞筛查的荧光光谱测量集成电路

基于SERF原子磁力仪在生物磁场检测中的样品控温装置

服务项目

资源中心

关于柿子坊