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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202311461857.9 | 专利名称: | 高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法 |
申请日: | 2023-11-06 | 申请/专利权人 | 无锡芯光互连技术研究院有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市锡山区安镇街道兖矿信达大厦A栋802 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/50分类检索 半导体专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2025-03-21 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN117913665B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明公开了高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法,其中,器件结构包括:衬底层,包括硅衬底层和埋氧SIO2层;硅波导,位于衬底层之上,包括第一硅波导部分和第二硅波导部分,沿预设方向排布,第一硅波导部分和第二硅波导部分之间间隔预设距离;半导体光放大器,底部设置有预设高度的卡槽结构,以通过卡槽结构两侧的槽壁使半导体光放大器卡扣在所述第一波导部分、第二波导部分及二者之间的间隙的上方;卡槽的宽度不低于硅波导的宽度,卡槽的高度不低于硅波导的厚度;覆盖层,位于半导体光放大器之上,用于集成SOA和硅波导,并保护半导体光放大器免受大气中水、氧的侵袭。本方案,集成工艺较为简单,且不存在浪费SOA外延材料的现象。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |