本发明公开了一种非接触式LED结温的测量方法及装置。该方法包括实验室标定和现场测试两部分。本发明针对采用光谱仪测量光谱分布速度慢，价格高的问题，提供了一种采用蓝光和红光玻璃，结合硒光电池，快速测量白色LED正常工作时的结温的方法和装置。采用硒光电池响应速度快，测量速度是光谱分布测量的数百倍，测试成本低；采用蓝光比和红光比两个参数表征结温，剔除了电流变化的影响。本发明采用蓝光和红光玻璃，结合硒光电池等简单元器件组合，得到能够准确表征GaN芯片和单一荧光粉得到的白色LED正常工作时的结温。
📄 2020108866116
📂 G01K11_12
👤 常州工学院
📅 2020-08-28
本实用新型属于LED灯板技术领域，尤其为一种拼接式LED灯板，包括外壳以及安装在所述外壳内部的LED灯本体和固定在所述外壳底部呈矩形排列的连接块，所述外壳表面靠近所述LED灯本体的一侧安装有透明板，还包括安装在所述外壳内部的调节组件；所述调节组件包括固定在所述LED灯本体两端的转轴以及固定在所述LED灯本体表面的弧形齿条和设置在所述弧形齿条一侧的齿轮，所述齿轮和所述弧形齿条啮合连接，本装置通过设置的调节组件，能够自由的调节LED灯的光线照射范围，能够根据实际情况灵活调节照射角度，无需拆卸LED灯来改变照射范围，使用起来更加方便，通过设置的拼接组件，能够根据实际使用需求拼接出所需的长度，操作简便，适用性强。
📄 2023235558643
📂 F21V21_005
👤 李娅娅
📅 2023-12-26
本实用新型涉及微型LED技术领域，具体涉及一种自驱动发光的纳米级LED，包括陶瓷基板、发光芯片、遮光板和与所述发光芯片电连接的电路板，所述电路板与所述陶瓷基板连接，所述遮光板设置于所述发光芯片远离所述陶瓷基板的一侧，所述遮光板包括遮光部和透光部，所述遮光部与所述发光芯片的边界相对应，所述透光部与所述发光芯片的中心相对应。发光芯片发出的光线，分为两部分，从发光芯片边界发出的光线被遮光部遮挡，从发光芯片的中心发出的光线能够从透光部射出，从而使得发光芯片发出的光线中只有从发光芯片的中心发出的光线能够从透光部射出，且采用了透光性较差的陶瓷基板，从而减少了亮边现象，提高了显示效果。
📄 2023224832593
📂 H01L33_58
👤 谷麦光电科技股份有限公司
📅 2023-09-11
本发明公开了一种独立台面结构的非极性面微型发光二极管(Micro‑LED)及其制备方法，基于选区外延和侧向外延实现外延结构的充分弛豫，可有效抑制外延层中缺陷的产生。同时，在相互独立的台面上生长相互独立的量子阱等Micro‑LED功能层，可以免量子阱刻蚀损伤制备Micro‑LED，消除传统方案通过工艺刻蚀减小LED尺寸造成的量子阱刻蚀损伤和额外导致的非辐射复合，有效提高Micro‑LED的效率。本发明为制备Micro‑LED提供了新的结构和方法，有利于推动Micro‑LED的商业化应用。
📄 2024114292899
📂 H10H20_821
👤 南京信息工程大学
📅 2024-10-14
本发明公开了一种大功率高亮度发光二极管芯片及其制造方法，它包括：一个金属衬底，在金属衬底之上设有嵌入准光子晶体结构的LED外延片，外延片两侧设有钝化保护层；所述外延片自下向上依次设有：金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、嵌入准光子晶体结构的N型半导体层、N型欧姆接触电极；所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。还公开了该芯片的制造方法。本发明同时解决LED芯片的高效取光和有效散热的问题，克服表面了光子晶体LED结构的缺陷，为大功率、高亮度LED的开发提供一种有效解决方案。
📄 201110271678X
📂 H01L33_20
👤 青岛理工大学
📅 2011-09-14
本发明涉及一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法，属于半导体光电二极管技术领域。该方法基于Ge/Si异质结特性，从器件内部的物理机理上对Ge/Si SACM-APD器件进行理论分析，从APD速率方程、噪声电流、暗电流和寄生参量四部分来建立APD的等效电路模型，包括以下步骤：1)将物理模型分解为多个部分，根据每一层结构构造载流子输运方程；2)构造对应于每一部分的子电路模块；3)互联这些子电路模块，建立等效电路模型。采用本方法可以很方便地对硅基APD器件进行模拟与设计，具有较好的应用前景。
📄 2015102046292
📂 G06F17_50
👤 重庆邮电大学
📅 2015-04-27
本发明请求保护一种采用p+n阱型二极管结构，同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管光电探测效率；采用合适的光窗口面积和过偏压，以获得较高的光电探测效率；通过调节其他的工艺和结构参数，可对器件的光电探测效率进行进一步的优化设计。扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性影响较大，保护环宽度在0.8‑1.5μm时，器件的击穿特性较好；确定好器件的探测效率和击穿电压后，通过对器件的参数进行进一步的优化设计，可以得到较好的频率响应特性。单光子雪崩二极管器件扩散n阱保护环宽度为1μm时，雪崩击穿电压为13.2V。窗口面积直径为20μm，过偏压为1V最大探测效率高达37％；窗口面积直径为10μm，过偏压为1V时最大探测效率高达52％，过偏压为2V时最大探测效率高达55％。
📄 201710058637X
📂 H01L31_0352
👤 江苏冉洋芯电子科技有限公司
📅 2017-01-23
本发明请求保护一种CMOS SPAD器件的等效电路，主要包括P+/中心N阱结阻抗、器件内部两侧的P+/N阱结阻抗、中心N阱/P衬底结阻抗、焊盘阻抗等。在等效电路中加入电流源是为了模拟光生载流子在器件内部的运动情况，其中，P+/中心N阱结的阻抗可以分为倍增区阻抗和漂移区阻抗，Ra、La、Rl代表倍增区阻抗，Rd、Rs代表漂移区阻抗。由于倍增区的交流传导电流相对于交流电压有一个90°的相位延迟引起的，所以在倍增区中存在电感La元件；电容C代表P+/中心N阱的结电容。器件内部两侧的P+/N阱结阻抗采用电容Cp+/n‑well和电阻Rp+/n‑well串联的方式代替，在中心N阱/P衬底结阻抗中除了包括N阱区域电阻Rwell、和中心N阱/P衬底结电容Csub1，还加入了并联方式的电容Csub2和电阻Rsub。
📄 2019100163213
📂 H01L31_107
👤 南京模数智芯微电子科技有限公司
📅 2019-01-08
本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、重掺杂n型AlGaN层、轻掺杂n型AlGaN层、量子阱有源区、电子阻挡层、P型导电层、反射层、电流扩展层、绝缘层以及导电薄膜层。其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构。该紫外LED倒装芯片具有防漏电、发光效率高、电压浪涌小、防静电释放危害、散热快及可靠性高等优点。
📄 2017108732730
📂 H01L33_14
👤 广东工业大学
📅 2017-09-25
本申请公开了一种功率型紫外LED器件，包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片，所述散热基板包括底座，所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层，所述复合层在垂直于所述底座表面的方向上开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有与所述LED芯片并联且异相连接的外部静电保护模组。上述功率型紫外LED器件，不仅出光量更大、散热性能更优越，还能够减小封装及组装过程中静电释放对LED芯片的危害，并能够避免单一结构的静电保护二极管损坏后造成整体失效。
📄 2017103436463
📂 H01L33_64
👤 广东工业大学
📅 2017-05-16
本发明公开了一种LED芯片、LED外延片及其制备方法，其中，LED外延片可以包括金属衬底、设置在金属衬底表面的GaN成核层、设置在GaN成核层表面的N型GaN层、设置在N型GaN层表面的多量子阱层、设置在多量子阱层表面的GaN阻挡层、设置在GaN阻挡层表面的P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，直接利用金属衬底作为LED外延片的衬底，由于整个金属衬底都可以导电，因此，则可以对N型GaN层的电流实现扩展，以使电流均匀分布，从而可以提高内量子效率。另外，由于可以直接在金属衬底上设置电极，因此，则可以不再需要通过刻蚀来在N型GaN层上制备电极，从而可以增大LED外延片的有效发光区域。
📄 2018115271254
📂 H01L33_02
👤 广东工业大学
📅 2018-12-13
本发明公开一种集成结构Micro‑LED显示器及其制备方法。包括Micro‑LED芯片阵列，芯片包括p‑Si衬底、Micro‑LED主体、两个晶体管和电容；Micro‑LED主体为台阶结构，从下到上包括：键合金属层、TiO2/SiO2DBR、ITO层、Mg掺杂p‑GaN层、Mg掺杂p‑AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、InGaN/GaN超晶格应力释放层、表面粗化的Si掺杂n‑GaN层，其中Mg掺杂p‑GaN层上表面为台阶面，主体通过键合金属层与衬底相连。该结构无需Micro‑LED的大量转移即可实现有源驱动，改善了GaN外延层的晶体质量，提高了Micro‑LED的光电性能。
📄 2020115961134
📂 H01L27_15
👤 武汉大学
📅 2020-12-29
柿子坊 · 知识产权运营
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