发明专利 已授权

基于面接触的光电探测器及芯片、硅基光子芯片

📄 申请号:CN202310984373.6 📄 发布日:2026/07/08

著录项目信息

申请日
2023-08-07
公开号
CN116936646B
公开日
2024-08-13
申请人
无锡芯光互连技术研究院有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

光通信, 数据中心, 光互连, 激光雷达, 传感探测

摘要

本发明公开基于面接触的光电探测器及其芯片、硅基光子芯片,基于面接触的光电探测器包括:间隔预设距离的第一波导和第二波导;第一波导接收入射光并将接收的光耦合至第二波导中;第二波导的形状为环形;衬底层用于进行掺杂;第一掺杂区在衬底层的设定区域通过掺杂形成;环形光吸收层位于第一掺杂区的表面,且与第二波导的内壁无缝相邻,用于接收第二波导传输的光信号,并使接收的光信号在环形光吸收层中往返传播进而发生全反射形成谐振,环形光吸收层的折射率大于第二波导的折射率;第二掺杂区由环形光吸收层表面掺杂扩散至环形光吸收层内部。本发明可提高光电探测器的线性度,也可降低光电探测器的寄生参数,提高了光电探测器的带宽。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

议价
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