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发明专利
已授权
带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片
📄 申请号:CN202311047239.X
📄 发布日:2026/07/08
著录项目信息
申请日
2023-08-21
公开号
CN116913993A
公开日
2023-10-20
申请人
无锡芯光互连技术研究院有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L31_0232
IPC 分类号
H01L31_0232
,
H01L31_0352
,
H01L31_18
,
技术画像
所属领域
光电探测器
光电子器件
光通信技术
光电子集成
光电探测
光电探测器
应用场景
光通信, 数据中心光互连, 光计算, 光纤通信, 光电传感
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摘要
本发明公开了一种带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片,涉及集成光学技术领域,其技术方案要点是:包括依次连接的入射波导、模斑转换器、探测部分;模斑转换器,用于保持多种模式的光耦合进入探测部分;探测部分,自下而上依次包括衬底层、模式选择结构、吸收层和电极层;模式选择结构,位于衬底层的表面,用于使多种模式的光依次耦合到吸收层,模式选择结构的折射率小于衬底层的折射率及吸收层的折射率,模式选择结构靠近入射波导一侧的端面的宽度大于模式选择结构远离入射波导一侧的端面的宽度,模式选择结构的宽度逐渐减小。其特点是将不同模式的光依次耦合进吸收层,提高吸收层光场均匀性和器件的线性度,同时保证器件具有较高的带宽。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
基于面接触的光电探测器及芯片、硅基光子芯片
当前第 / 件
一种晶上系统及其电源状态配置、反馈、控制方法
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覆盖
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