本发明公开了一种基于柔性基底的全印刷光电探测器及其制备方法，制备方法包括硫化铋纳米线及硫化铋纳米线浆料的制备，电极印刷及浆料印刷步骤。通过对本发明制备的光电探测器在不同波段和不同强度下的光电导响应测试，不同频率间歇光照射下的响应速度测试，柔性测试，不同印刷图形在间歇光照射下的响应速度测试，均得到较好的光电导性能，表明柔性基底全印刷光电探测器性能良好。另外，硫化铋纳米线制备简易，柔性基底既可以是棉麻丝等织品，又可以是PET塑料、硅基底等，可弯曲、耐用性好，而丝网印刷技术成本低廉，易用于大规模生产，以上优点都使得本发明具有潜在应用价值。
📄 2016102036543
📂 H01L31_18
👤 西南大学
📅 2016-04-01
本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法，包括自下而上设置的基底、第二吸收有源区、光传输波导区和第一吸收有源区；第一吸收有源区中横向依次设置第一P++掺杂区、第一P+掺杂区、第一本征I区、第一N+掺杂区以及第一N++掺杂区，第一P++掺杂区与第一金属电极电性连接；第二吸收有源区中横向依次设置第二P++掺杂区、第二P+掺杂区、第二本征I区、第二N+掺杂区以及第二N++掺杂区，第二P++掺杂区与第二金属电极电性连接；第一与第二N++掺杂区通过金属通孔电性连接。本光电探测器具有两个不同的光吸收区，能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。
📄 2021116477561
📂 H01L31_105
👤 淮阴工学院
📅 2021-12-30
本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法，形成于基底上水平方向依次设置的第一吸收有源区、第一光传输波导区、第二光传输波导区和第二吸收有源区；第一吸收有源区中，第一P+掺杂区与第一N+掺杂区之间通过所述第一本征I区电性连接；第二吸收有源区中，第二P+掺杂区与第二N+掺杂区之间通过第二本征I区电性连接；其中，第一N+掺杂区与第二N+掺杂区电性连接；第一P++掺杂区上设置有第一金属电极，第二P++掺杂区上设置有第二金属电极。本光电探测器具有两个不同的光吸收区，能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度较高，光‑电响应带宽较大。
📄 2021116436364
📂 H01L31_105
👤 淮阴工学院
📅 2021-12-30
本发明基于石墨烯电极和钙钛矿吸光层的自驱动光电探测器及其制备方法，所述方法包括步骤1，将清洗干燥后的导电玻璃基底刻蚀为分隔的两部分，分别为第一导电玻璃电极和第二导电玻璃电极；步骤2，在导电玻璃电极上制备电子传输层；步骤3，在电子传输层和第二导电玻璃电极上转移石墨烯薄膜，形成连接电子传输层和第二导电玻璃电极的石墨烯电极；步骤4，在位于电子传输层上的石墨烯电极上涂覆钙钛矿吸收层后，得到自驱动光电探测器。通过设置的钙钛矿光吸收层吸收光子产生电子和空穴对，由于钙钛矿为双极性材料，实现电子和空穴的高效传输。传输到石墨烯的电子由于石墨烯的遂穿效应，会穿过石墨烯转移到TiO2电子传输层，通过导电玻璃电极收集。
📄 201710459558X
📂 H01L51_42
👤 陕西师范大学
📅 2017-06-16
本发明涉及一种六边形像元面阵探测器调制传递函数计算方法，该方法包括以下步骤：第一步：确定六边形像元面阵探测器的孔径函数；第二步：确定六边形像元面阵探测器的采样函数；第三步：写出任意输入图像经过探测器采样成像的输出图像的表达式；第四步：根据像元形状，确定傅里叶变换区域，写出输出图像的频谱的表达式，计算输出图像与输入图像的频谱比值，获得光学传递函数；第五步：由于调制传递函数是光学传递函数的模，求取光学传递函数的模，并进行归一化，得到二维调制传递函数；此二维调制传递函数即为六边形像元面阵探测器的调制传递函数。
📄 2017112402911
📂 H04N17_00
👤 西安工业大学
📅 2017-11-30
本发明公开了一种基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括PMMA透光保护层、石墨烯透明上电极、包覆少层PtSe2的硅纳米柱阵列结构体、石墨烯透明上电极和硅纳米柱阵列结构体的金属电极。制备方法为：CVD法制备石墨烯；干法刻蚀制备硅纳米柱阵列结构体；激光干涉增强诱导CVD在硅纳米柱阵列结构体表面包覆少层PtSe2；制备石墨烯透明上电极；磁控溅射镀制金属电极。本发明制备的光电探测器可以实现可见光到近红外波段的探测功能，硅纳米柱阵列结构体增强了探测器对光线的吸收作用，使得该探测器具有灵敏度高，器件结构简单，实用性强的优点。同时，制备方法可以提高器件性能，具有较高的推广价值。
📄 2021100624946
📂 H01L31_109
👤 西安工业大学
📅 2021-01-18
本申请提供了一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构，包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、吸收层，吸收层上设有光栅型叉指电极；光栅型叉指电极为周期栅型分列金属纳米电极，周期栅型分列金属纳米电极中每一个叉指由平行且均匀分布的10—100个光栅金属条构成；本实用新型提供了一种易于制作、简单的一种AlGaN基等离子激元光电探测器结构，通过使电极处金属结构进行光栅结构化，从而克服电极挡光的问题，而且可以利用等离子激元作用增加探测器的响应度。
📄 2021229496602
📂 H01L31_0224
👤 天津赛米卡尔科技有限公司
📅 2021-11-29
已申报项目
本发明公开了一种利用MXene‑GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，解决了现有技术中的MSM型光电探测器暗电流大、响应度低的问题，本发明的光电探测器包括生长基底，所述生长基底为图形化蓝宝石衬底结构，所述生长基底表面上由下至上连接有GaN薄膜层、n型GaN薄膜层、GaN‑InGaN组合层和MXene材料层。本发明将MXene材料与图形化蓝宝石衬底相结合降低了暗电流、提高了响应度，可用于水下光学检测和水下通信等领域。
📄 2021103402054
📂 H01L31_0224
👤 电子科技大学
📅 2021-03-30
本发明公开了一种光电探测器、具有记忆功能的运算处理器及制备方法。所述光电探测器从下到上依次包括衬底层、光响应层、电极层；所述光响应层为富含缺陷的MoxWySz合金薄膜；所述MoxWySz合金薄膜以氯化钠促融制备。本发明通过将光响应层设置为富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜，从而使得光电探测器具有持续光电导效应；通过设置比较器模块，使得图像逻辑运算处理器单元能够执行逻辑运算。所述限域倾斜CVD法中的NaCl能够促进MoS2和WS2的融合，从而生长富含缺陷的过渡金属硫化物MoxWySz合金薄膜，该薄膜中的缺陷可以束缚光生载流子，从而阻碍光生载流子的复合。
📄 2021107406073
📂 H01L31_09
👤 电子科技大学
📅 2021-06-30
本发明公开了一种ReS2(1‑x)Se2x肖特基结型光电探测器的制作方法，包括在覆盖有ReS2(1‑x)Se2x纳米多孔薄膜的P型硅晶衬底上使用蒸镀方法蒸镀银电极层。其中ReS2(1‑x)Se2x纳米多孔薄膜的厚度为0.7～100nm，银电极层的厚度为50～100nm；另外在P型硅晶衬底蒸镀时，将P型硅晶衬底放置在叉指电极掩膜板上，通过物理气相沉积装置在10‑4～10‑5Torr低真空条件下以#imgabs0#的速率进行蒸镀。本发明还公开了一种由ReS2(1‑x)Se2x肖特基结型光电探测器的制作方法制作出的探测器。
📄 2022106147080
📂 H01L31_18
👤 重庆理工大学
📅 2022-05-30
本发明公开了一种MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器的制作方法，获取Ti3C2Tx胶体溶液，以及掺有Sb的n‑Ge衬底，清除n‑Ge衬底表面杂质，然后将Ti3C2Tx胶体溶液覆在n‑Ge衬底上，在室温下干燥至恒重后形成Ti3C2Tx膜层使得Ti3C2Tx膜层与n‑Ge衬底形成肖特基异质结。本发明还公开了一种通过上述方法制得而成的MXene/n‑Ge高速宽带自供电光电探测器，该探测器结构简单，工作稳定，检测效果好，响应时间极快，精度和可靠性高，还具有体积小、重量轻的优点，另外传感器制作容易，成本低廉。
📄 2022105550835
📂 H01L31_18
👤 重庆理工大学
📅 2022-05-20
本发明公开了一种带有模式选择结构的光电探测器及光子芯片，涉及集成光学技术领域，其技术方案要点是：包括依次连接的入射波导、模斑转换器、探测部分；模斑转换器，用于保持多种模式的光耦合进入探测部分；探测部分，自下而上依次包括衬底层、模式选择结构、吸收层和电极层；模式选择结构，位于衬底层的表面，用于使多种模式的光依次耦合到吸收层，模式选择结构的折射率小于衬底层的折射率及吸收层的折射率，模式选择结构靠近入射波导一侧的端面的宽度大于模式选择结构远离入射波导一侧的端面的宽度，模式选择结构的宽度逐渐减小。其特点是将不同模式的光依次耦合进吸收层，提高吸收层光场均匀性和器件的线性度，同时保证器件具有较高的带宽。
📄 202311047239X
📂 H01L31_0232
👤 无锡芯光互连技术研究院有限公司
📅 2023-08-21
柿子坊 · 知识产权运营
柿子坊知识产权运营平台