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摘 要:本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种高性能的光电探测器制备方法,在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片,利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极,然后旋涂CsPbBr3纳米晶体,退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性,同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合,改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力,从而提高光电探测器的性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110517706.5 | 专利名称: | 一种高性能的光电探测器及其制备方法 |
申请日: | 2021-05-12 | 申请/专利权人 | 常熟理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市常熟市南三环路99号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0336搜分类 探测 光电探测搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |