本发明提供一种图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件，将4H‑SiC晶片进行p型掺杂，并干法氧化，得到覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片；将聚苯乙烯微球溶液旋涂在覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片上，加热使聚苯乙烯微球缩小并自组装形成单层膜，蒸镀沉积金，去除聚苯乙烯微球，得到具有金纳米图案的4H‑SiC晶片；将其与铜板接触作为阳极，在三电极系统中外加脉冲电流对具有金纳米图案的4H‑SiC晶片进行刻蚀处理，在晶片上形成图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜，剥离图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜。本发明制备出有序的、图案化的纳米线阵列薄膜，缺陷少，经图案化后具有较高的分辨率。
📄 2022109947800
📂 H10F71_00
👤 陕西科技大学
📅 2022-08-18
本发明公开了一种光电探测器阵列制备方法，属于光电材料与器件技术领域，目的在于解决钙钛矿薄膜器件小型化、图形化的问题。其包括以下步骤：S1、首先对石英玻璃基底进行清洗，再对其表面进行处理；S2、对组分为Ti3C2Tx的MXene胶体溶液进行制备，并将制备好的MXene溶液旋涂在S1处理后的石英玻璃基底上成膜；S3、用激光直写对S2中得到涂覆有MXene薄膜的石英玻璃基底进行第一次沟道刻划；S4、在S3处理后的石英玻璃基底上制备钙钛矿吸收层；S5、采用激光直接对S4处理后的样品进行第二次刻划，去移除多余的钙钛矿吸收层；S6、采用激光直写对S5处理后的样品进行第三次刻划，分离出像素单元，形成钙钛矿成像阵列。本发明适用于光电探测器阵列制备方法。
📄 2020101521800
📂 H01L51_48
👤 电子科技大学
📅 2020-03-06
本发明公开了一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，属于浊度测试技术领域，目的在于提供一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，解决现有浊度测试系统检测不便、检测时间地点受控制的问题。其包括MoSe2‑O2光电探测器、照明源、激光驱动器、探测器驱动器、低噪声放大器，所述低噪声放大器和探测器驱动器均与MoSe2‑O2光电探测器电信号连接，所述激光驱动器与照明源电信号连接。本发明适用于光电探测器浊度测试系统。
📄 2022100355639
📂 G01N21_49
👤 电子科技大学
📅 2022-01-13
本发明实施例提供了一种光电探测器，包括吸收器，所述吸收器由下到上依次包括衬底层、反射层和吸收层，其中，所述吸收层为过渡金属硫化物薄膜；所述吸收层上设置电极层；这样，通过在所述衬底层上依次设置所述反射层、所述吸收层和所述电极层，并利用将所述吸收器的吸收层材料为过渡金属硫化物，使吸收器可以工作在可见波段，且通过过渡金属硫化物的复折射率的实部和虚部较为接近，可以形成高损耗薄膜，使得入射光被吸收后在薄膜内传播，并逐渐损耗。因此使得所述反射层上吸收层的超薄膜结构可以通过与谐振腔的临界耦合达到近完美吸收。
📄 2019105900273
📂 H01L31_108
👤 电子科技大学
📅 2019-07-02
本实用新型涉及基座技术领域，公开了一种光电探测器用基座，包括平衡机构、升降机构和固定机构，所述升降机构位于平衡机构的上端，所述固定机构位于升降机构的上端。所述平衡机构包括底座，所述底座的上端固定连接有第一螺纹杆，所述第一螺纹杆的表面螺纹连接有第一螺纹套，所述第一螺纹套的表面固定连接有支撑环，所述第一螺纹套的表面套接有支撑板，所述支撑板的上端固定连接有螺纹环。本实用新型通过使用螺纹环与螺纹底座螺纹连接和限位块与支撑板卡接等零件的配合，实现了正常使用基座对探测器进行使用调整的同时在设备大部分零件损坏时能够快捷的拆除更换的目的，提升了设备整体的实用性，使用更加便捷。
📄 2024230912000
📂 G01D11_30
👤 深圳市乐吉胜科技有限公司
📅 2024-12-16
本发明属于光电探测技术领域，具体为一种并联叠层全波段光电探测器，包括透明基底，透明基底上沉积有第一电极，其特征在于：所述第一电极上设置有前探测器，所述的前探测器为倒置结构，所述前探测器上设置有连接层，所述连接层上设置有后探测器，所述后探测器为正置结构，所述后探测器上设置有第二电极，所述第一电极和第二电极短路连接，共同作为并联叠层全波段光电探测器的阴极，所述连接层中设置有并联叠层全波段光电探测器的阳极，所述第一电极和连接层为透明或者半透明结构，所述第二电极为不透明的金属反射电极。
📄 2020110826263
📂 H10K39_30
👤 运城学院
📅 2020-10-12
本发明公开了一种光电探测器、光电探测器芯片以及硅基光子芯片，该光电探测器包括：间隔预设距离的第一波导和第二波导；第二波导的形状为环形；衬底层，用于进行掺杂；第一掺杂区，在衬底层的设定区域通过掺杂形成；环形光吸收层，位于第一掺杂区的表面同时位于第二波导的内壁远离第二波导的外壁的一侧，部分环形光吸收层与第二波导的内壁存在间隙且其他部分环形光吸收层与第二波导的内壁共用至少一个切面；环形光吸收层的折射率大于第二波导的折射率以及空气的折射率；环形光吸收层用于接收第二波导传输的光信号。本发明可以提高光电探测器的线性度，也可以降低光电探测器的寄生参数，提高了光电探测器的带宽。
📄 2023107564220
📂 H01L31_0232
👤 无锡芯光互连技术研究院有限公司
📅 2023-06-25
本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种高性能的光电探测器制备方法，在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片，利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极，然后旋涂CsPbBr3纳米晶体，退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性，同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合，改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力，从而提高光电探测器的性能。
📄 2021105177065
📂 H01L31_0336
👤 常熟理工学院
📅 2021-05-12
本发明提供了一种具有电流放大作用的硅光电探测器，包括：硅光波导区；第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区；其中，所述第一N型重掺杂硅区和第二N型重掺杂硅区分别位于所述硅光波导区两侧；P型重掺杂硅区及第三N型重掺杂硅区；其中，所述P型重掺杂硅区设置于所述第一N型重掺杂硅区与所述第三N型重掺杂硅区之间；第一金属电极，电连接至所述P型重掺杂硅区；第二金属电极，电连接至第二N型重掺杂硅区；第三金属电极，电连接至第三N型重掺杂硅区。本发明通过对各个区的掺杂类型以及掺杂浓度进行设置，使得补充一个很小的电流就可以在第三N型重掺杂硅区的电极上得到一个较大的电流，可以提高整体的检测精度。
📄 2019111766553
📂 H01L31_0352
👤 三明学院
📅 2019-11-26
柿子坊 · 知识产权运营
柿子坊知识产权运营平台