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摘 要:一种光电探测器,涉及光电探测器领域。包括光导部、光吸收段、p型半导体、n型半导体、第一电极、第二电极和第三电极。光导部设于p型半导体和n型半导体之间,光吸收段贴合于光导部并沿光导部的光路方向设置。第一电极导通连接于p型半导体,第二电极导通连接于n型半导体,第三电极导通连接于光吸收段。光吸收段由光电效应材料制成。沿光路方向,光吸收段的长度为倏逝波耦合周期的(0.9n‑0.5)~(1.1n‑0.5)倍。结构简单,具有更大的饱和电流、更高的带宽和更高的响应度,整体性能得到了明显提升,对于进一步提升光纤通信系统的整体工作性能具有积极意义。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010575950.2 | 专利名称: | 一种新型光电探测器 |
申请日: | 2020-06-22 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0352搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |