摘要
一种光电探测器,涉及光电探测器领域。包括光导部、光吸收段、p型半导体、n型半导体、第一电极、第二电极和第三电极。光导部设于p型半导体和n型半导体之间,光吸收段贴合于光导部并沿光导部的光路方向设置。第一电极导通连接于p型半导体,第二电极导通连接于n型半导体,第三电极导通连接于光吸收段。光吸收段由光电效应材料制成。沿光路方向,光吸收段的长度为倏逝波耦合周期的(0.9n‑0.5)~(1.1n‑0.5)倍。结构简单,具有更大的饱和电流、更高的带宽和更高的响应度,整体性能得到了明显提升,对于进一步提升光纤通信系统的整体工作性能具有积极意义。