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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202010997856.6 | 专利名称: | 一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法 |
申请日: | 2020-09-21 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0232分类检索 其他专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明提供一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器,包括:衬底层,所述衬底层是SOI;硅光波导层,形成于所述衬底层上;光栅层,形成与所述衬底层上,并与所述硅光波导层耦合连接;其中,所述光栅层包括本征区以及位于所述本征区两侧的P型区和N型区;电极,包括阳极和阴极;其中,所述阳极设置于所述N型区,所述阴极设置于所述P型区。本发明通过表面光栅结构较直波导结构增加了表面区域,从而有效增加了吸收面积,进而提高了响应度;光栅结构形成谐振腔,使光能量较好的限制在光栅结构内部,被多次吸收。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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