发明专利已授权

一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法

📄 申请号：CN202010997856.6 📄 发布日：2026/06/22

著录项目信息

申请日

2020-09-21

公开号

CN112201707A

公开日

2021-01-08

申请人

三明学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L31_0232

IPC 分类号

H01L31_0232 , H01L31_0352 , H01L31_105 , H01L31_18 ,

技术画像

所属领域

硅基光电子硅基光电子光探测器光栅结构

应用场景

光通信, 光学传感, 光探测, 激光雷达, 光谱分析

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摘要

本发明提供一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器，包括：衬底层，所述衬底层是SOI；硅光波导层，形成于所述衬底层上；光栅层，形成与所述衬底层上，并与所述硅光波导层耦合连接；其中，所述光栅层包括本征区以及位于所述本征区两侧的P型区和N型区；电极，包括阳极和阴极；其中，所述阳极设置于所述N型区，所述阴极设置于所述P型区。本发明通过表面光栅结构较直波导结构增加了表面区域，从而有效增加了吸收面积，进而提高了响应度；光栅结构形成谐振腔，使光能量较好的限制在光栅结构内部，被多次吸收。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220624

✅ 授权

20210126

?? 实质审查的生效：

20210108

📄 公开

一种具有电流放大作用的硅光电探测器

当前第 / 件

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