发明专利已授权

单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法

📄 申请号：CN201210507356.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2012-11-29

公开号

CN102942359A

公开日

2013-02-27

申请人

北京临界领域科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B35_45

IPC 分类号

C04B35_45 , C04B35_622 , C30B1_10 , C30B1_00 , C30B29_22 ,

技术画像

所属领域

超导材料超导材料氧化物陶瓷块材制备

应用场景

超导磁悬浮, 储能系统, 医疗核磁共振, 科学研究, 电力设备

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摘要

本发明涉及一种单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法，其采用顶部籽晶熔渗生长法，通过改变固相块和液相块所用的源粉成份，使得整个熔渗生长过程仅需制备BaCuO2一种粉，大大简化了制备先驱粉的环节、缩短了制备周期、降低了工艺成本、提高了效率，而且重复性好、易于定向生长，所制备样品的磁悬浮力大、临界电流密度高，本发明还采用了液相块的比固相块的直径相等或稍大的装配方法，有利于防止液相的流失、样品的坍塌以及有利于固相与液相的充分接触。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20140702

✅ 授权

20130403

?? 实质审查的生效：

20130227

📄 公开

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当前第 / 件

用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法

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