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本发明公开一种氮化铝包覆碳化硅复合陶瓷晶须的制备方法及其产品。采用氧化铝、氧化硅、碳黑、晶须生成剂冰晶石为原料，通过球磨，使浆料混合均匀，之后将混合后的浆料放入干燥箱中烘干，再经碳热还原反应制备得到含有氮化铝包覆碳化硅复合陶瓷晶须和碳的混合粉体，最后通过除去多余的碳来获得AlN包覆SiC晶须。本发明制备得到的复合陶瓷晶须，是合成SiC晶须的同时一步法包覆AlN于晶须表面，形成AlN包覆SiC复合陶瓷晶须，以SiC为芯，AlN为壳，最终产品的晶须长度为20～200μm，直径为0.8～2.5μm，长径比为40～150。

一种提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔渗生长工艺（Top Seeded Metal Oxide Infiltration and Growth，简称TS-MOIG）制备单畴钇钡铜氧块材，将金属氧化物（Y2O3、BaO、CuO）在高温状态下直接熔化反应，省去了传统方法必须制备Y2BaCuO5、YBa2Cu3O7-x和Ba3Cu5O8三种粉体的过程，简化了操作步骤，缩短了制备周期，降低了生产成本，大大提高了工作效率，避免了上述三种粉体在多次操作中混入杂质，且环境污染小。另外，该方法通过在先驱粉体中加入去离子水，克服了在烧制块材时容易产生裂纹的缺点。本发明所制备的单畴钇钡铜氧超导块材磁悬浮力大，同时适用于Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材的制备。

一种低成本单畴GdBCO超导块材的制备方法，采用顶部籽晶金属氧化物熔渗生长工艺，以Gd2O3、BaO、CuO三种金属氧化物的混合粉作为固相先驱粉，以Y2O3、BaO、CuO的混合粉作为液相源粉，通过固相源和液相源在高温状态下熔渗反应，以及后续的慢降温热处理过程，实现在籽晶诱导下单畴GdBCO超导晶体的生长。使得整个生长过程不需要烧结任何先驱粉体，在不降低超导块材性能的前提下，大大缩短了制备时间，简化了制备过程，并提高了超导块材的制备效率，降低了成本。本发明可用于制备GdBCO超导块材，也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

本发明公开了一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法，包括以下步骤：(1)制备丝素蛋白溶液；(2)制备高分子含碳有机薄膜；(3)微波等离子预处理；(4)真空煅烧。本发明以无污染的丝素蛋白胶体作为碳源，既避免了普遍使用气体作为碳源所带来的安全性问题，又不会产物石墨烯造成污染；通过微波等离子体技术及真空炉煅烧，能一次性制备出大量的单晶石墨烯粉末，实现大规模的石墨烯制备；石墨烯的形成温度在1100～1700℃，相比于其他工艺的石墨烯形成温度(2800℃)更低。

本发明公开了一种大尺寸二维层状金属硫代磷酸盐晶体的制备方法，属于金属硫代磷酸盐技术领域。制备方法包括以下步骤：S1、按照所述的量和比例称量铟球、磷块和硫粒，混合后作为原料，单质碘为输运剂，碘化钾为熔融盐；S2、将原料、单质碘和碘化钾一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，然后进行高温反应；S3、将反应后的产物取出，洗涤去除残留的碘和碘化钾，得到大尺寸二维层状金属硫代磷酸盐晶体。本发明采用上述大尺寸二维层状金属硫代磷酸盐晶体的制备方法，能够制备出大尺寸的层状的金属铟硫代磷酸盐晶体，方法简单、高效。

本发明公开了一种高温高压下高钪、高锆和高含水钙铁辉石单晶的制备方法，所述方法为以四水合硝酸钙粉末、固态的九水合硝酸铁(III)粉末、固态的一水合硝酸钪(III)粉末、固态的五水合硝酸锆粉末、液态的正硅酸乙酯和无水乙醇浓度为起始原料制备出钙铁辉石混合物圆柱体样品；以固态的天然滑石粉末、固态的熟石灰粉末和固态的α相针铁矿粉末制备出水源圆片；将水源圆片放置在钙铁辉石混合物圆柱体样品两端；然后将水源圆片和钙铁辉石混合物圆柱体样品一起放入金钯合金样品管内通过高温高压反应制备出高钪、高锆和高含水钙铁辉石单晶；彻底解决了目前的高钪的、高锆的和高含水的钙铁辉石单晶的制备技术空白。