发明专利已授权

用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法

📄 申请号：CN201210507250.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2012-11-29

公开号

CN102925954B

公开日

2015-05-13

申请人

北京临界领域科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B1_00

IPC 分类号

C30B1_00 , C30B29_22 , C04B35_45 ,

技术画像

所属领域

超导材料超导材料晶体生长陶瓷材料

应用场景

超导磁悬浮, 超导储能, 医疗核磁共振, 科学研究

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摘要

本发明涉及一种用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其是通过改变固相块所用固相源粉和液相源粉的成份，使得整个熔渗生长过程仅需BaCuO2一种先驱粉，简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了效率，而且本发明所制产品磁悬浮力大，采用了液相块的尺寸与固相先驱块的尺寸相比稍大或相等的装配方法，有利于防止液相的流失、样品的坍塌以及有利于固相与液相的充分接触，有利于晶体的生长，易于定向生长。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法

当前第 / 件

一种电平转换和串口收发电路

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