发明专利已授权

一种基于硅通孔的高品质三维电感器及其制备工艺

📄 申请号：CN201610962996.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-11-04

公开号

CN107068649B

公开日

2019-10-22

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_522

IPC 分类号

H01L23_522 , H01L21_768 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件三维集成技术电子元件制造工艺

应用场景

集成电路, 射频通信, 电子设备

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摘要

本发明公开一种基于硅通孔的高品质三维电感器及其制备工艺。本发明由多个电感元件单元构成，输入输出端口位于金属层和重新布局层；电感元件单元包括位于金属层、一个圆环状硅通孔阵列、重新布局层。圆环状硅通孔阵列上设有内、外圈硅通孔阵列，内圈和外圈上各硅通孔按照设计要求进行金属层、重新布局层的连接。本发明利用bosch工艺在硅基底挖空槽，减小硅基底损耗。本发明运用金属线连接圆环内外圈中的硅通孔阵列，相较与传统硅通孔构造的电感器具有较大的电感值，同时充分利用同圆环内圈或外圈中相邻硅通孔的电流流向都相同，来增强电感值，并且挖出圆环内部硅基底以减少损耗，此外还大大的减少了片上的占用面积。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种用于蔬菜旱地移栽机中的开沟式植苗装置

当前第 / 件

自动折盖封箱机

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