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一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构

Name: 一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2019107864411
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910786441.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-08-23

公开号

CN110429077A

公开日

2019-11-08

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_552

IPC 分类号

H01L23_552 , H01L29_78 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体抗辐射加固半导体器件结构

应用场景

航空航天电子系统, 卫星电源系统, 核工业电子设备, 高能物理实验装置, 抗辐射工业控制

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摘要

本发明公开了一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构，包括外延层，所述外延层第一主面设有有源区和栅极结构，所述有源区和栅极结构上设有栅极金属层；所述外延层第二主面设有衬底层，所述衬底层上设有漏极金属层；所述有源区与所述衬底层之间的外延层形成漂移区；所述有源区设有纵向深沟槽，所述深沟槽内设有源极金属层；所述源极金属层底部设有P型区；本发明在器件关闭状态下由重离子引起的瞬态电流主要通过深沟槽电极进行泄放，大幅度降低作用于寄生BJT的瞬态电流，使寄生BJT难以导通，从而有效提高了功率半导体器件的抗SEB性能；而深沟槽电极的引入不会对器件沟道区及反向耐压区域产生任何影响，因此器件的基本电学特性不受任何影响。

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图1

图2

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